[发明专利]影像感测器在审
申请号: | 202110441545.6 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN114823748A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 张原硕;吴庆强 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 感测器 | ||
1.一种影像感测器,包括:
一基板;
多个第一光电二极管与多个第二光电二极管,所述光电二极管与所述第二光电二极管交替设置于该基板中,其中每个所述第一光电二极管于上视图中的面积小于每个所述第二光电二极管的面积;
一中间层,设置于该基板上;
一导光结构,设置于该中间层中且设置于所述第一光电二极管或所述第二光电二极管至少其中一者之上,其中该导光结构的折射率大于该中间层的折射率;以及
一微透镜层,设置于该中间层上。
2.如权利要求1所述的影像感测器,其中,该导光结构的一侧壁与一顶表面之间的角度介于65度至90度之间,且该导光结构于剖面图中具有一长方形或梯形的形状。
3.如权利要求1所述的影像感测器,其中,
该导光结构设置于所述第一光电二极管的至少其中一者之上;
该导光结构的消光系数介于0.1至0.3之间;且
该导光结构的折射率介于1.4至2.0之间。
4.如权利要求1所述的影像感测器,其中,
该导光结构设置于所述第二光电二极管的至少其中一者之上;
该导光结构的消光系数介于0.001至0.01之间;且
该导光结构的折射率介于1.4至2.0之间。
5.如权利要求1所述的影像感测器,其中,
该导光结构设置于所述第一光电二极管的至少其中一者之上以及设置于所述第二光电二极管的至少其中一者之上;
该导光结构的折射率介于1.4至2.0之间;
设置于所述第一光电二极管的该至少其中一者之上的该导光结构具有介于0.1至0.3之间的消光系数;且
设置于所述第二光电二极管的该至少其中一者之上的该导光结构具有介于0.001至0.01之间的消光系数。
6.如权利要求1所述的影像感测器,还包括一彩色滤层阵列,该彩色滤层阵列具有多个彩色滤层且设置于该中间层与该微透镜层之间,其中,
该微透镜层包括多个微透镜;
所述微透镜各设置于所述第一光电二极管其中一者之上与所述第二光电二极管其中一者之上;且
所述彩色滤层各与两邻近的微透镜重叠。
7.如权利要求6所述的影像感测器,其中,
所述彩色滤层各对应至位于所述微透镜的其中一者之下的所述第一光电二极管其中一者,以及各对应至位于所述微透镜的另一者之下的所述第二光电二极管其中一者,所述微透镜的该另一者邻近于所述微透镜的该其中一者;
任两邻近的彩色滤层具有不同的颜色;且
所述彩色滤层于上视图中具有一长方形形状、一正方形形状或前述的组合。
8.如权利要求1所述的影像感测器,还包括一钝化层,该钝化层设置于该微透镜层上。
9.一种影像感测器,包括:
一基板;
多个第一光电二极管与多个第二光电二极管,所述光电二极管与所述第二光电二极管交替设置于该基板中,其中每个所述第一光电二极管于上视图中的面积小于每个所述第二光电二极管的面积;
一中间层,设置于该基板上;
一导光结构,设置于该中间层中且设置于所述第一光电二极管或所述第二光电二极管至少其中一者之上;
一彩色滤层阵列,具有多个彩色滤层且设置于该中间层上;以及
一微透镜层,设置于该彩色滤层阵列上,其中该微透镜层包括多个微透镜,且其中所述彩色滤层各与两邻近的微透镜重叠。
10.如权利要求9所述的影像感测器,其中,
该导光结构的折射率大于该中间层的折射率;
所述微透镜各设置于所述第一光电二极管其中一者之上与所述第二光电二极管其中一者之上;
所述彩色滤层各对应至位于所述微透镜的其中一者之下的所述第一光电二极管其中一者,以及各对应至位于所述微透镜的另一者之下的所述第二光电二极管其中一者,所述微透镜的该另一者邻近于所述微透镜的该其中一者;且
任两邻近的彩色滤层具有不同的颜色。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于采钰科技股份有限公司,未经采钰科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110441545.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:投影镜头
- 下一篇:数据存取方法、装置、电子设备及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的