[发明专利]一种纳米TiB2有效

专利信息
申请号: 202110442214.4 申请日: 2021-04-23
公开(公告)号: CN113120915B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 程军;柯昌凤;霍艳坤;刘文元;陈昌华;孙钧;滕雁 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: C01B35/04 分类号: C01B35/04;B82Y40/00
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 王杨洋
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 tib base sub
【权利要求书】:

1.一种纳米TiB2涂层的制备方法,其特征在于:

利用TiC涂层与BN粉料反应,获得纳米TiB2涂层,包括以下步骤:

1)获取沉积有TiC涂层的样件

通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层;

2)获取沉积有纳米TiB2涂层的样件

2.1)将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中,使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖;

2.2)将石墨坩埚置于加热炉中,在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下,以恒定升温速率将炉温升至600~2000℃,进行硼化反应0.1~20h;所述O2的体积分数在10%以下;所述H2的体积分数在3%以下;

2.3)使反应后的试样在Ar气氛下自然降温至室温,取出试样,清除其表面附着的BN粉料,获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。

2.根据权利要求1所述的纳米TiB2涂层的制备方法,其特征在于,步骤1)具体包括以下步骤:

1.1)将样件洗净并干燥后,置于化学气相沉积炉的炉膛中,将炉膛以恒定升温速率升温至900~1100℃;

1.2)向炉膛中同时通入氢气、甲烷和氩气;

1.3)将TiCl4加热至50~70℃,并利用恒定流速的Ar将TiCl4带入炉膛中,进行沉积反应1~4h,将炉膛压力保持在1~10kPa;

1.4)同时关闭化学气相沉积炉的加热和所有进气,直至炉膛自然降温至室温,得到沉积有TiC涂层的样件。

3.根据权利要求2所述的纳米TiB2涂层的制备方法,其特征在于:

步骤1.1)中,所述样件的材料为石墨、碳碳复合材料、不锈钢或钛合金。

4.根据权利要求3所述的纳米TiB2涂层的制备方法,其特征在于:

步骤2.1)中,所选择BN粉料的纯度为99.9%,粒度为0.02~20μm。

5.根据权利要求4所述的纳米TiB2涂层的制备方法,其特征在于:

步骤2.2)中,所述升温速率为10℃/min;

所述升温的终点温度为1000~1400℃;

所述硼化反应的时长为0.5~3h。

6.根据权利要求5所述的纳米TiB2涂层的制备方法,其特征在于:

步骤2.1)中,所选择BN粉料的粒度为0.05-3μm。

7.根据权利要求6所述的纳米TiB2涂层的制备方法,其特征在于,步骤1)具体为:

1.1)将样件洗净并干燥后,置于化学气相沉积炉的炉膛中,以恒定升温速率升温至950℃;

1.2)向炉膛中分别以300mL/min、20mL/min、600mL/min的流速同时通入氢气、甲烷和氩气;

1.3)将TiCl4加热至60℃,并利用300mL/min流速的Ar将TiCl4带入炉膛中,进行沉积反应2h,将炉膛压力保持在5kPa;

1.4)同时关闭化学气相沉积炉的加热和所有进气,直至炉膛自然降温至室温,得到沉积有TiC涂层的样件。

8.根据权利要求1至3任一所述的纳米TiB2涂层的制备方法,其特征在于:所述纳米TiB2涂层厚度在0.5~5μm范围内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北核技术研究所,未经西北核技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110442214.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top