[发明专利]卷对卷将铜箔蚀薄的方法、装置、计算机设备

权利要求书

1.一种卷对卷将铜箔蚀薄的方法，其特征在于，包括：

将铜箔片以粘着方式贴附于基板之上，以形成正、背面的铜箔层；

对所述铜箔层的正面四周进行封胶保护；

在所述经封胶保护后的铜箔层上均匀喷洒预先配置的蚀刻液；

基于所述蚀刻液，采用卷对卷方式，将所述均匀喷洒蚀刻液后的铜箔层蚀薄达到所需要的铜箔厚度。

2.如权利要求1所述的卷对卷将铜箔蚀薄的方法，其特征在于，所述对所述铜箔层的正面进行封胶保护，包括：

采用紫外固化胶方式，对所述铜箔层的正面进行封胶保护。

3.如权利要求1所述的卷对卷将铜箔蚀薄的方法，其特征在于，所述基于所述蚀刻液，采用卷对卷方式，将所述均匀喷洒蚀刻液后的铜箔层蚀薄达到所需要的铜箔厚度，包括：

基于所述蚀刻液，在所述蚀刻液的表面贴湿膜，所述湿膜包括第一表面，在所述第一表面上形成第一方向上延伸的多个第一凹槽，采用将所述多个第一凹槽蚀刻到所述均匀喷洒蚀刻液后的铜箔层所需要的铜箔厚度位置的方式，将所述均匀喷洒蚀刻液后的铜箔层蚀薄达到所需要的铜箔厚度。

4.如权利要求1所述的卷对卷将铜箔蚀薄的方法，其特征在于，在所述基于所述蚀刻液，采用卷对卷方式，将所述均匀喷洒蚀刻液后的铜箔层蚀薄达到所需要的铜箔厚度之后，还包括：

清理所述经蚀薄达到所需要的铜箔厚度后的铜箔层上多余的蚀刻液。

5.如权利要求4所述的卷对卷将铜箔蚀薄的方法，其特征在于，所述清理所述经蚀薄达到所需要的铜箔厚度后的铜箔层上多余的蚀刻液，包括：

采用氢氧化钠碱性脱膜的方式，清理所述经蚀薄达到所需要的铜箔厚度后的铜箔层上多余的蚀刻液。

6.一种卷对卷将铜箔蚀薄的装置，其特征在于，包括：

贴附模块、封胶模块、喷洒模块和蚀薄模块；

所述贴附模块，用于将铜箔片以粘着方式贴附于基板之上，以形成正、背面的铜箔层；

所述封胶模块，用于对所述铜箔层的正面四周进行封胶保护；

所述喷洒模块，用于在所述经封胶保护后的铜箔层上均匀喷洒预先配置的蚀刻液；

所述蚀薄模块，用于基于所述蚀刻液，采用卷对卷方式，将所述均匀喷洒蚀刻液后的铜箔层蚀薄达到所需要的铜箔厚度。

7.如权利要求6所述的卷对卷将铜箔蚀薄的装置，其特征在于，所述封胶模块，具体用于：

采用紫外固化胶方式，对所述铜箔层的正面进行封胶保护。

8.如权利要求6所述的卷对卷将铜箔蚀薄的装置，其特征在于，所述蚀薄模块，具体用于：

基于所述蚀刻液，在所述蚀刻液的表面贴湿膜，所述湿膜包括第一表面，在所述第一表面上形成第一方向上延伸的多个第一凹槽，采用将所述多个第一凹槽蚀刻到所述均匀喷洒蚀刻液后的铜箔层所需要的铜箔厚度位置的方式，将所述均匀喷洒蚀刻液后的铜箔层蚀薄达到所需要的铜箔厚度。

9.如权利要求6所述的卷对卷将铜箔蚀薄的装置，其特征在于，所述卷对卷将铜箔蚀薄的装置，还包括：

清理模块；

所述清理模块，用于清理所述经蚀薄达到所需要的铜箔厚度后的铜箔层上多余的蚀刻液。

10.如权利要求9所述的卷对卷将铜箔蚀薄的装置，其特征在于，所述清理模块，具体用于：

采用氢氧化钠碱性脱膜的方式，清理所述经蚀薄达到所需要的铜箔厚度后的铜箔层上多余的蚀刻液。