[发明专利]一种微透镜结构及其制备方法、显示器件在审
| 申请号： | 202110443688.0 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113178535A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 郭康;宋梦亚;李多辉;谷新 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;G02F1/1335;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 透镜 结构 及其 制备 方法 显示 器件 | ||
1.一种微透镜结构制备方法，所述微透镜结构包括至少一个微透镜，其特征在于，所述微透镜结构制备方法包括：
根据待制备的微透镜的目标拱高确定压印工艺参数，所述压印工艺参数与压印时微透镜模板的填充程度相关；
在基板上涂覆压印胶材，使用微透镜模板基于所述压印工艺参数进行纳米压印，形成所述微透镜结构。
2.根据权利要求1所述的微透镜结构制备方法，其特征在于，所述压印胶材的粘度支持不同的填充程度。
3.根据权利要求2所述的微透镜结构制备方法，其特征在于，所述压印胶材的粘度为10000厘泊至100000厘泊。
4.根据权利要求1所述的微透镜结构制备方法，其特征在于，所述压印工艺参数包括加载在所述微透镜模板上的下压力，所述下压力与所述微透镜的目标拱高正相关。
5.根据权利要求4所述的微透镜结构制备方法，其特征在于，所述下压力包括0.01Mpa至0.5Mpa。
6.根据权利要求1至5任一所述的微透镜结构制备方法，其特征在于，所述压印工艺参数包括基板温度，所述基板温度与所述微透镜的目标拱高正相关。
7.根据权利要求6所述的微透镜结构制备方法，其特征在于，所述基板温度包括20度至120度。
8.一种微透镜结构，其特征在于，所述微透镜结构使用如权利要求1至7任一所述的微透镜结构制备方法制备。
9.根据权利要求8所述的微透镜结构，其特征在于，所述微透镜的口径为10微米至500微米，所述微透镜的拱高为5微米至50微米。
10.一种显示器件，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的微透镜结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
