[发明专利]存储器件的制作方法有效
申请号: | 202110446864.6 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113206097B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 王进峰;张剑;熊伟;陈华伦 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11531;H01L21/027;H01L21/311 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 黎伟 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 器件 制作方法 | ||
1.一种存储器件的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底,所述衬底包括存储单元区域和逻辑区域,所述存储单元区域的衬底形成有栅氧层,所述栅氧层上形成有字线,所述字线两侧的栅氧层上依次形成有浮栅多晶硅层、第一隔离层和控制栅多晶硅层,所述字线高于所述浮栅多晶硅层,所述字线表面,所述字线和所述控制栅多晶硅层、所述浮栅多晶硅层之间形成有第二隔离层,所述逻辑区域的衬底上依次形成有栅氧层、多晶硅层和第二隔离层,所述多晶硅层高于所述浮栅多晶硅层;
依次形成第三隔离层和第四隔离层;
在所述第四隔离层表面形成第一BARC;
对所述第一BARC进行去除处理,使所述存储单元区域的字线之间的沟槽,以及字线和所述逻辑区域之间的沟槽保留所述第一BARC;
在所述第四隔离层和剩余的第一BARC表面形成第二BARC;
分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀,在所述存储单元区域形成存储器件的浮栅和控制栅,在所述逻辑区域形成逻辑器件的栅极。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀,包括:
进行第一次刻蚀,去除所述第一BARC、所述第二BARC,所述控制栅多晶硅层上的第四隔离层,以及所述逻辑区域中目标区域的栅氧层、多晶硅层、第三隔离层和第四隔离层,使所述目标区域的衬底暴露,剩余的多晶硅层形成所述栅极;
进行第二次刻蚀,去除剩余的第三隔离层和第四隔离层;
进行第三次刻蚀,去除所述存储区域中目标区域的栅氧层、控制栅多晶硅层、第一隔离层、浮栅多晶硅层和第三隔离层,剩余的浮栅多晶硅层形成所述浮栅,剩余的控制栅多晶硅层形成所述控制栅。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一次刻蚀采用干法刻蚀,所述第二次刻蚀采用湿法刻蚀,所述第三次刻蚀采用干法刻蚀。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述进行第一次刻蚀,包括:
采用光刻工艺在所述逻辑器件区域中所述逻辑器件的栅极对应的区域覆盖光阻;
进行离子刻蚀,去除所述第一BARC、所述第二BARC,所述控制栅多晶硅层上的第四隔离层,以及所述逻辑区域中目标区域的栅氧层、多晶硅层、第三隔离层和第四隔离层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第三隔离层包括二氧化硅层,所述第四隔离层包括二氧化硅层。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述依次形成第三隔离层和第四隔离层,包括:
采用等离子体增强化学沉积工艺在所述第二隔离层、所述控制栅多晶硅层和所述多晶硅层上沉积二氧化硅形成所述第三隔离层;
采用正硅酸乙酯化学沉积工艺在所述第三隔离层上沉积二氧化硅形成所述第四隔离层。
7.根据权利要求1至6任一所述的方法,其特征在于,所述第二隔离层包括二氧化硅层。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一隔离层包括ONO。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述字线和所述浮栅多晶硅层、所述控制栅多晶硅层之间还形成有氮化硅层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的