[发明专利]存储器件的制作方法

说明书

本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：在存储单元区域和逻辑区域依次形成第三隔离层和第四隔离层；在第四隔离层表面形成第一BARC；对第一BARC进行去除处理，使存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和逻辑区域之间的沟槽保留第一BARC；在第四隔离层和剩余的第一BARC表面形成第二BARC；分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀，在存储单元区域形成存储器件的浮栅和控制栅，在逻辑区域形成逻辑器件的栅极。本申请通过在晶圆上形成第一BARC后，对第一BARC进行去除，使存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和逻辑区域之间的沟槽保留第一BARC，从而在继续形成第二BARC后，降低了字线的高度在后续刻蚀中的高度差对刻蚀的影响。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种存储器件的制作方法。

背景技术

采用非易失性存储(non-volatile memory，NVM)技术的存储器目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、通用串行总线闪存盘(universal serial bus flashdisk，USB闪存盘，简称“U盘”)等具有存储功能的电子产品中。

NVM存储器中，NORD闪存(flash)具有传输效率高，在1MB至4MB的容量时成本较低的特点，其通常包括在衬底上形成的存储单元(flash cell)和位于存储单元外围的逻辑器件。

相关技术中，在存储器件(例如NORD闪存器件)的制作过程中，由于存储单元区域内字线(word line，WL)高于周围的区域，导致应位于字线顶部的光阻大量积聚在沟槽处，在后续逻辑器件的栅极的刻蚀过程中，由于字线顶部光阻层较其它区域的厚度低，导致字线顶部的氧化物被大量刻蚀，从而在存储单元的刻蚀成型过程中因字线顶部氧化物厚度较薄，导致字线多晶硅被刻蚀，其表面产生大量缺陷，降低了产品的可靠性。

发明内容

本申请提供了一种存储器件的制作方法，可以解决相关技术中提供的存储器件的制作过程中由于字线两侧的沟槽处积累光阻从而在后续的工序中字线多晶硅被刻蚀，其表面产生大量缺陷，从而导致产品的可靠性较低的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种存储器件的制作方法，包括：

提供一衬底，所述衬底包括存储单元区域和逻辑区域，所述存储单元区域的衬底形成有栅氧层，所述栅氧层上形成有字线，所述字线两侧的栅氧层上依次形成有浮栅多晶硅层、第一隔离层和控制栅多晶硅层，所述字线高于所述浮栅多晶硅层，所述字线表面，所述字线和所述控制栅多晶硅层、所述浮栅多晶硅层之间形成有第二隔离层，所述逻辑区域的衬底上依次形成有栅氧层、多晶硅层和第二隔离层，所述多晶硅层高于所述浮栅多晶硅层；

依次形成第三隔离层和第四隔离层；

在所述第四隔离层表面形成第一底部抗反射涂层(bottom anti-reflectivecoating，BARC)；

对所述第一BARC进行去除处理，使所述存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和所述逻辑区域之间的沟槽保留所述第一BARC；

在所述第四隔离层和剩余的第一BARC表面形成第二BARC；

分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀，在所述存储单元区域形成存储器件的浮栅和控制栅，在所述逻辑区域形成逻辑器件的栅极。

可选的，所述分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀，包括：

进行第一次刻蚀，去除所述第一BARC、所述第二BARC，所述控制栅多晶硅层上的第四隔离层，以及所述逻辑区域中目标区域的栅氧层、多晶硅层、第三隔离层和第四隔离层，使所述目标区域的衬底暴露，剩余的多晶硅层形成所述栅极；

进行第二次刻蚀，去除剩余的第三隔离层和第四隔离层；