[发明专利]一种改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法有效
| 申请号： | 202110447796.5 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113223958B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李勇;吴长明;冯大贵;祝建;卢成博 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 刻蚀 工艺 聚合物 方法 | ||
1.一种改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上形成氧化层；
步骤二、在所述氧化层上形成氮化钛和钛的复合层；
步骤三、在所述复合层上形成铝层；在所述铝层上形成一层光刻胶层；
步骤四、对所述光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形；
步骤五、按照所述光刻胶图形刻蚀所述铝层，形成凹槽；刻蚀所述铝层采用等离子体刻蚀，并在刻蚀腔中引入氦气作为刻蚀气体；所述刻蚀腔的压力为18mT；刻蚀腔中的静电吸盘表面的等效电压为389V。
2.根据权利要求1所述的改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，其特征在于：步骤三中的所述铝层和所述光刻胶层的厚度为4微米。
3.根据权利要求1所述的改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，其特征在于：步骤五中刻蚀所述铝层的过程中在所述凹槽的侧壁形成聚合物。
4.根据权利要求3所述的改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，其特征在于：步骤五中形成的所述聚合物的成分包括碳、氧和铝。
5.根据权利要求4所述的改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，其特征在于：步骤五中的所述聚合物的成分中包含AlC。
6.根据权利要求5所述的改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，其特征在于：步骤五中的所述AlC的含量为0.602％。
7.根据权利要求1所述的改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，其特征在于：该方法还包括步骤六、去除所述凹槽上的剩余光刻胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110447796.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种废铜铋催化剂的再生方法
- 下一篇：一种改善沟槽刻蚀导致晶圆毛边的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
