[发明专利]一种改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法

说明书

本发明提供一种改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，提供硅基底，在硅基底上形成氧化层；在氧化层上形成氮化钛和钛的复合层；在复合层上形成铝层；在铝层上形成一层光刻胶层；对光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形；按照光刻胶图形刻蚀所述铝层，形成凹槽；刻蚀铝层采用等离子体刻蚀，并在刻蚀腔中引入氦气作为刻蚀气体。本发明在功率MOS器件制作过程中，对铝层的刻蚀步骤中增加静电吸盘表面的等效电压以及刻蚀腔的压力，并且引入氦气作为可是气体，轰击较多的光刻胶至铝层侧壁的表面。可将聚合物成分转化为光刻胶为主的聚合物，使聚合物容易被去除，同时可以促进等离子体解离，不容易形成含铝的聚合物。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法。

背景技术

功率MOS器件制作过程，MOS结构中位于铝层上的光阻层和铝层较厚，厚度大约为4微米，对铝层进行刻蚀后，发现铝侧壁的聚合物(polymer)残留严重，经过腔室后无法完全去除。

因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，用于解决现有技术中功率MOS器件制作过程中无法完全去除铝侧壁的聚合物的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上形成氧化层；

步骤二、在所述氧化层上形成氮化钛和钛的复合层；

步骤三、在所述复合层上形成铝层；在所述铝层上形成一层光刻胶层；

步骤四、对所述光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形；

步骤五、按照所述光刻胶图形刻蚀所述铝层，形成凹槽；刻蚀所述铝层采用等离子体刻蚀，并在刻蚀腔中引入氦气作为刻蚀气体。

优选地，步骤三中的所述铝层和所述光刻胶层的厚度为4微米。

优选地，步骤五中刻蚀所述铝层的过程中在所述凹槽的侧壁形成聚合物。

优选地，步骤五中形成的所述聚合物的成分包括碳、氧和铝。

优选地，步骤五中的所述聚合物的成分中包含AlC。

优选地，步骤五中的所述AlC的含量为0.602％。

优选地，步骤五中所述刻蚀腔的压力为18mT。

优选地，步骤五中刻蚀腔中的静电吸盘表面的等效电压为389V。

优选地，该方法还包括步骤六、去除所述凹槽上的剩余光刻胶。

如上所述，本发明的改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法，具有以下有益效果：本发明在功率MOS器件制作过程中，对铝层的刻蚀步骤中增加静电吸盘表面的等效电压以及刻蚀腔的压力，并且引入氦气作为可是气体，轰击较多的光刻胶至铝层侧壁的表面。可将聚合物成分转化为光刻胶为主的聚合物，使聚合物容易被去除，同时可以促进等离子体解离，不容易形成含铝的聚合物。

附图说明

图1显示为本发明在铝层上形成光刻胶图形的结构示意图；

图2显示为本发明中刻蚀铝层形成凹槽的结构示意图；

图3显示为本发明中去除凹槽上的光刻胶后的结构示意图；

图4显示为本发明的改善厚铝刻蚀工艺中聚合物的方法流程图。

具体实施方式