[发明专利]人前列腺上皮细胞非那雄胺耐药模型的构建方法有效

专利信息
申请号: 202110448023.9 申请日: 2021-04-25
公开(公告)号: CN113122494B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 占明;王忠;徐欢;杨睿萌;陈彦博;谷猛 申请(专利权)人: 上海交通大学医学院附属第九人民医院
主分类号: C12N5/071 分类号: C12N5/071;C12Q1/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 温可睿
地址: 200011*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 前列腺 上皮细胞 耐药 模型 构建 方法
【说明书】:

发明涉及生物医学技术领域,尤其涉及人前列腺上皮细胞非那雄胺耐药模型的构建方法。本发明提供的人前列腺上皮细胞非那雄胺耐药模型的构建方法,包括:将人前列腺上皮细胞以A培养基和B培养基交替培养。其中A培养基为含有非那雄胺的培养基。在本发明中,通过改良诱导的条件,使耐药的人前列腺上皮细胞性状稳定,可稳定多次传代,也可用于良性前列腺增生患者非那雄胺耐药的分子机制进行深入研究。并且,该构建方法简便易行、建立时间短,并且耐药指数达到100以上。

技术领域

本发明涉及生物医学技术领域,尤其涉及人前列腺上皮细胞非那雄胺耐药模型的构建方法。

背景技术

良性前列腺增生是一种随年龄增长而逐渐发生的中老年男性疾病,病理上以前列腺上皮和基质组织增生为主,临床上表现为尿频、尿急、尿流细弱、淋漓不尽、进行性排尿困难和急性尿潴留等下尿路症状,严重者甚至可诱发泌尿系统结石、肾功能衰竭及心脑血管疾病。流行病学研究表明,大于50岁的男性群体中良性前列腺增生发生率超过半数,而中重度下尿路症状发生率约占三分之一,因此是目前泌尿男科最为常见的疾病之一。

非那雄胺是唯一特异性作用于前列腺的药物,它通过降低血清双氢睾酮水平来阻断雄激素受体信号传导,从而抑制上皮细胞的增殖和促进凋亡,显著缩小前列腺体积。长期使用非那雄胺可使得前列腺总体积减少20%,并可以显著改善良性前列腺增生患者的尿流率和前列腺症状评分。因此,非那雄胺是决定良性前列腺增生临床疗效的关键性药物。但无法避免的是大部分良性前列腺增生患者会对非那雄胺产生耐药性。

目前关于尚缺乏良性前列腺增生对非那雄胺产生耐药性系统性的研究,其中的分子机制也部清楚。研究非那雄胺耐药机制并探索逆转耐药策略是解决问题的关键,因此急需良好的耐药机制研究模型。

发明内容

有鉴于此,本发明要解决的技术问题在于提供人前列腺上皮细胞非那雄胺耐药模型的构建方法。

本发明提供的人前列腺上皮细胞非那雄胺耐药模型的构建方法,包括:将人前列腺上皮细胞以A培养基和B培养基交替培养;

所述A培养基为含有非那雄胺的K-SFM完全培养基,其中非那雄胺的浓度依次为0.5μmol/L、1.0μmol/L、2.0μmol/L、4.0μmol/L、8.0μmol/L、16.0μmol/L、32.0μmol/L和64.0μmol/L;

所述B培养基为不含非那雄胺的K-SFM完全培养基。

本发明是以前列腺上皮细胞RWPE-1为亲本细胞,采用非那雄胺模拟治疗过程,采用大剂量冲击结合药物浓度梯度诱导,分别建立获得性耐药的前列腺上皮细胞系RWPE-1,并测定其生物学特性以评价耐药性。

在本发明的方法中,依次以如下培养基对复苏的人前列腺上皮细胞培养:

含0.5μmol/L非那雄胺的K-SFM完全培养基;

不含非那雄胺的K-SFM完全培养基;

含1.0μmol/L非那雄胺的K-SFM完全培养基;

不含非那雄胺的K-SFM完全培养基;

含2.0μmol/L非那雄胺的K-SFM完全培养基;

不含非那雄胺的K-SFM完全培养基;

含4.0μmol/L非那雄胺的K-SFM完全培养基;

不含非那雄胺的K-SFM完全培养基;

含8.0μmol/L非那雄胺的K-SFM完全培养基;

不含非那雄胺的K-SFM完全培养基;

含16.0μmol/L非那雄胺的K-SFM完全培养基;

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