[发明专利]一种高弯折性能压延铜箔及成套制造设备有效
申请号: | 202110448110.4 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113478237B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 陈盈州 | 申请(专利权)人: | 浙江花园新能源股份有限公司 |
主分类号: | B23P23/06 | 分类号: | B23P23/06;C21D1/18;C21D1/26;C21D8/02;C21D9/46;C22F1/08;C23F1/08;C23F1/18;C23F17/00;C23G1/10;C23G3/00;C25D3/04;C25D3/12;C25D3/22;C |
代理公司: | 金华市婺实专利代理事务所(普通合伙) 33340 | 代理人: | 胡恩晗 |
地址: | 322121 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高弯折 性能 压延 铜箔 成套 制造 设备 | ||
本发明提供了一种高弯折性能压延铜箔及成套制造设备,属于铜箔制造技术领域。它解决了现有的压延铜箔生产工艺复杂且获得成品的性能有待优化的问题。本高弯折性能压延铜箔,包括铜箔本体,其特征在于,铜箔本体的厚度为0.05mm~0.15mm,表面粗糙度Rz值为0.1~0.3μm,抗剥离强度>1.25N/mm2,抗拉强度>220N/mm2。与现有技术相比,本高弯折性能压延铜箔的生产工艺简洁,获得的产品性能优良,且采用的设备能克服各种存在的问题。
技术领域
本发明属于铜箔制造技术领域,涉及一种高弯折性能压延铜箔及成套制造设备。
背景技术
铜箔是一种阴质性电解材料,沉淀于电路板基底层上的一层薄的、连续的金属箔,它作为PCB的导电体。它容易粘合于绝缘层,接受印刷保护层,腐蚀后形成电路图样。
铜箔在生产过程中,工艺的差别也会对其性能造成差异,按生产方法可分压延和电解两种制作工艺。压延铜箔属于片状结晶组织结构,致密度较高,所以具有优异的延伸率、耐弯曲、高温重结晶和表面均一的平滑性等性能,但是压延铜箔加工工艺复杂,如果简化加工步骤并能获得较高性能的铜箔,一直是铜箔领域的技术优化方向。
发明内容
本发明的目的是针对现有的压延铜箔生产工艺复杂且获得成品的性能有待优化的问题,而提出的一种高弯折性能压延铜箔及成套制造设备。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现:
一种高弯折性能压延铜箔,包括铜箔本体,其特征在于,铜箔本体的厚度为0.05mm~0.15mm,表面粗糙度Rz值为0.1~0.3μm,抗剥离强度>1.25N/mm2,抗拉强度>220N/mm2,并由以下以下工艺方法制成:
步骤1:将铜熔铸方坯送入第一轧机进行热轧,并通过热轧开坯铣面,轧至粗轧坯;
步骤2:对粗轧坯进行切边处理,然后进行退火,淬火清洗送入第二轧机,轧至细轧坯;
步骤3:细轧坯二次退火,然后二次退火并清洗,收卷后获得双面光滑铜箔;
步骤4:通过开卷设备对铜箔带进行开卷定位,然后通过裁切设备将铜箔带的边缘多余部分裁剪;
步骤5:通过浓度为300g/L的稀硫酸对铜箔的表面进行酸洗作业;
步骤6:对铜箔的表面进行打磨粗化以及固化处理:
步骤7:通过微浊处理设备对铜箔的双侧光面进行浊化处理,蚀刻掉其表面上的一些铜,使其产生凹凸不平的形状,从而增加铜箔处理面的比表面积,该微浊处理设备所用到的微浊液由浓度为100g/L的双氧水、浓度为50g/L盐酸、浓度为300g/L硫酸在50~55℃的温度环境下混合得到;
步骤8:以电镀形式对铜箔依次完成镀镍、镀锌、镀铬的工艺,其中:镀镍过程中镍离子的浓度为4.0g/L,pH为10,电镀液的温度为35℃,电流密度为1.5A/dm2;镀锌过程中锌离子的浓度为4.0g/L,pH为10,电镀液的温度为35℃,电流密度为1.5A/dm2;镀铬过程中铬离子的浓度为2.0g/L,pH为10,电镀液的温度为35℃,电流密度为2.0A/dm2;
步骤9:将铜箔放入烘烤炉内进行烘烤10分钟,烘烤过程中前5分钟烘烤炉内的温度控制在500℃,后5分钟烘烤炉内的温度控制在300℃。
在上述的一种高弯折性能压延铜箔中,步骤2和步骤3中所述退火的温度为500℃~600℃,升温时间为3~4h,保温时间为4~5h;所述二次退火的退火温度为300℃~400℃,升温时间为2~3h,保温时间为4~6h。
在上述的一种高弯折性能压延铜箔中,步骤1中所述热轧的轧制力为460N~470N,轧制速度为850m/min,铜箔的入侧厚度为0.1500mm,出侧厚度为0.0600mm,弯辊力为3Mpa。
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