[发明专利]半导体工艺设备及装载机构

说明书

本申请公开了一种半导体工艺设备及装载机构，其中，装载机构包括移动平台、驱动部和夹持部，移动平台可移动，驱动部设置在移动平台上，驱动部用于承载热场，并带动热场进行升降，当驱动部驱动热场下降运动时，夹持部将热场夹持，当驱动部驱动热场上升运动时，夹持部将热场释放。本申请可应用于多个半导体工艺设备，使每个半导体工艺设备不必单独配置热场装载装置，降低了半导体工艺设备的生产成本。通过设置夹持部能够使热场在转移过程中保持稳定，防止热场倾倒。

技术领域

本申请涉及半导体加工领域，特别涉及一种半导体工艺设备及装载机构。

背景技术

碳化硅(SiC)单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率高和化学稳定性好等优良的半导体物理性质；可以用于制作能够在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件，在国防、高科技、工业生产、供电和变电领域有巨大的应用价值，被看作是极具发展前景的第三代宽禁带半导体材料。

SiC单晶材料的生长需要特殊的工艺设备，该工艺设备主要由生长系统、加热组件、装载系统及控制组件等结构组成。其中，由于晶体生长的工艺特点，其生长周期较长，装载的频率约为一周一次，因此，装载系统的使用率较低，在每台工艺设备上单独配置装载系统会导致工艺设备成本高昂。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种半导体工艺设备及装载机构，能够解决目前的半导体工艺设备的热场装载机构利用率低下导致半导体工艺设备成本较高的问题。

第一方面，本申请提出了一种装载机构，用于向半导体工艺设备装载进行半导体工艺的热场，包括：移动平台、驱动部和夹持部；

其中，所述移动平台可移动，所述驱动部设置在所述移动平台上，所述驱动部用于承载所述热场，并带动所述热场进行升降；

当所述驱动部驱动所述热场下降运动时，所述夹持部将所述热场夹持，当所述驱动部驱动所述热场上升运动时，所述夹持部将所述热场释放。

第二方面，本申请还提出了一种半导体工艺设备，包括上文的装载机构。

与相关技术相比，本申请的有益效果如下：

本申请实施例公开的装载机构用于向半导体工艺设备装载进行半导体工艺的热场，其中，热场可以设置于驱动部上，驱动部设置于移动平台上，移动平台可移动，从而能够将热场转运至需要装载热场的半导体工艺设备处，使每个半导体工艺设备不必单独配置热场装载装置，降低了半导体工艺设备的生产成本。驱动部可驱动热场升降，当热场上升时夹持部将热场释放，使夹持部与热场分离，从而能够将热场装载于半导体工艺设备内，避免热场在上升过程中夹持部与半导体工艺设备发生干涉，从而使得热场能够顺利装载到半导体工艺设备内；当热场下降时夹持部将热场夹持，从而使得热场能够保持稳定，防止热场倾倒。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是根据本申请的一个实施例的整体示意图；

图2是本申请的一个实施例的驱动部的示意图；

图3是本申请的一个实施例的第一接触件和第二接触件的示意图；

图4是本申请的一个实施例的缓冲支撑部的示意图；

图5是本申请的一个实施例的缓冲支撑部的剖视图。

附图标记说明：

100-移动平台，110-平台部，120-支架，130-滚轮，140-推杆，

200-驱动部，210-第二接触件，220-承载台，230-升降丝杆，240-驱动电机，250-传动块，260-升降开关，270-延长板，