[发明专利]一种电压检测电路

说明书

本发明提供一种电压检测电路，其包括：带隙基准电压产生电路，其用于产生带隙基准电压，其包括运算放大器、双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2、双极型晶体管Q3和双极型晶体管Q4，第一电流源和第二电流源，第一分压电路，其基于受检输入电压产生第一检测电压；第二分压电路，其基于受检输入电压产生第二检测电压；第一比较器，其第一输入端接收带隙基准电压，其第二输入端接收第一检测电压；第二比较器，其第二输入端接收带隙基准电压，其第一输入端接收第二检测电压。与现有技术相比，本发明的一个目的是提高充电过压保护阈值精度和放电过压保护阈值；其另一目的是尽可能复用双极型晶体管，从而减少双极型晶体管的数量，有效的节省了器件面积，降低成本。

【技术领域】

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种电压检测电路。

【背景技术】

请参考图1所示，其为现有技术中的一种电池保护电路里实现充电过压保护和放电过流保护的电压检测电路的电路示意图，其中实现了共用双极型晶体管(图1中的Q1和Q2)，通过共用双极型晶体管可以节省芯片面积，因为一般双极型晶体管面积比较大。图1中包括PMOS管MP1、电阻R1～R7、运算放大器OP、比较器Comp1和Comp2。图1中的带隙基准电压BG满足VBG＝Vbe1+[(Vbe2-Vbe1)+Vos].R1/R3,其中VBG为节点BG的电压值，Vbe1为双极型晶体管Q1的基极-发射极电压，Vbe2为双极型晶体管Q2的基极-发射极电压，Vos为运算放大器OP的等效输入失调电压，R1为电阻R1的电阻值，R3为电阻R3的电阻值。Voc的阈值可以通过VBG.(R4+R5)/R5来计算，其中VBG为节点BG的电压值，R4为电阻R4的电阻值，R5为电阻R5的电阻值；Vod的阈值可以通过VBG.(R6+R7)/R7来计算，其中VBG为节点BG的电压值，R6为电阻R6的电阻值，R7为电阻R7的电阻值。Comp1的输出结果OC为高电平时表示出现充电过压；当OC为低电平时表示未出现充电过压。Comp2的输出结果OD为高电平时表示出现放电过压；当OD为低电平时表示未出现放电过压。随着技术不断发展，为了让电池充得更满和同时提高电池安全性，市场上需要更高精度的充电过压保护阈值。

因此，有必要提出一种改进的技术方案来克服上述问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种电压检测电路，其一个目的是进一步提高充电过压保护阈值精度和放电过压保护阈值，从而使电池充得更满，同时提高电池安全性；其另一目的是尽可能复用双极型晶体管，从而减少双极型晶体管的数量，有效的节省了器件面积，降低成本。

根据本发明的一个方面，本发明提供一种电压检测电路，其包括：带隙基准电压产生电路，其用于产生带隙基准电压BG，其包括运算放大器OP、双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2、双极型晶体管Q3和双极型晶体管Q4，第一电流源I1和第二电流源I2，第一分压电路，其基于受检输入电压产生第一检测电压；第二分压电路，其基于所述受检输入电压产生第二检测电压；第一比较器Comp1，其第一输入端接收所述带隙基准电压BG，其第二输入端接收所述第一检测电压；第二比较器Comp2，其第二输入端接收所述带隙基准电压BG，其第一输入端接收所述第二检测电压。

进一步的，所述带隙基准电压产生电路还包括电阻R1、R2和R3，第一电流源I1给双极型晶体管Q1提供电流，第二电流源I2给双极型晶体管Q2提供电流，电阻R1连接于连接节点BG和连接节点A之间，电阻R2连接于连接节点BG和连接节点E之间，所述运算放大器OP的第一输入端与所述连接节点A相连，其第二输入端与所述连接节点E相连，电阻R3连接于所述连接节点B和连接节点A之间，所述连接节点B连接至双极型晶体管Q3，连接节点E连接至双极型晶体管Q4；双极型晶体管Q1和双极型晶体管Q3层叠，双极型晶体管Q2和双极型晶体管Q4层叠，使得电阻R3上的压差等于(Vbe2-Vbe1)+(Vbe4-Vbe3)，其中Vbe2为双极型晶体管Q2的基极-发射极压差，Vbe1为双极型晶体管Q1的基极-发射极压差，Vbe3为双极型晶体管Q3的基极-发射极压差，Vbe4为双极型晶体管Q4的基极-发射极压差。