[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在导线上方形成第一介电层和第二介电层；

至少在所述第二介电层内形成第一开口；

沿所述第一开口的侧壁形成间隔件，所述间隔件包括介电材料；

用导电材料填充所述第一开口，所述导电材料与所述导线物理接触；

在所述导电材料上方形成底部电极；

在所述底部电极上方形成磁性隧道结结构；以及

在所述磁性隧道结结构上方形成顶部电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述第一开口至少在所述第一介电层内形成所述第一开口。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述第一开口在所述第一介电层的外部形成所述第一开口。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述间隔件还包括：

沉积用于所述间隔件的材料；以及

从水平表面去除所述材料的部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述顶部电极具有与所述导电材料的中心线对准的中心线。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述顶部电极具有从所述导电材料的中心线偏移的中心线。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述间隔件的至少部分由所述底部电极暴露。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在导线上方形成至少部分穿过第一介电层的第一开口；

用介电材料内衬所述第一开口；

蚀刻所述介电材料以形成间隔件并且暴露所述导线；

在所述第一开口内形成通孔；

在所述通孔上方形成磁性隧道结(MTJ)结构；以及

蚀刻所述磁性隧道结结构和所述第一介电层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述形成所述第一开口额外形成了穿过第二介电层的所述第一开口，所述第二介电层位于所述导线和所述第一介电层之间。

10.一种半导体器件，包括：

导线，位于衬底上方；

间隔件，位于所述导线上方并且与所述导线间隔开，所述间隔件至少位于第一介电层内；

通孔，延伸穿过所述间隔件以使得与所述导线物理接触；

底部电极，与所述通孔物理接触；

磁性隧道结结构，与所述底部电极物理接触；以及

顶部电极，与所述磁性隧道结结构物理接触。