[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种集成晶体管，其包括：

有源区，其包括半导体材料；所述有源区包含第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的沟道区；以及

导电门控结构，其可操作地接近所述沟道区且包括钼。

2.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述导电门控结构由所述钼组成。

3.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中除所述钼之外，所述导电门控结构还包括W、Ta、Ti、Co和Ni中的一或多个。

4.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述第二源极/漏极区相对于所述第一源极/漏极区竖直地偏移。

5.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述半导体材料包括硅。

6.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述半导体材料包括锗。

7.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述半导体材料包括半导体氧化物。

8.根据权利要求1所述的集成晶体管，其中所述导电门控结构通过绝缘材料与所述沟道区间隔开。

9.根据权利要求8所述的集成晶体管，其中所述绝缘材料包括SiO₂。

10.根据权利要求8所述的集成晶体管，其中所述绝缘材料包括一或多种高k组合物。

11.一种集成组合件，其包括：

第一系列的第一导线，所述第一导线沿着第一方向延伸；

从所述第一导线向上延伸的半导体材料的支柱；所述支柱中的每一个包含下部源极/漏极区、上部源极/漏极区以及在所述上部源极/漏极区与所述下部源极/漏极区之间的沟道区；所述支柱具有侧壁；所述下部源极/漏极区与所述第一导线耦合；

沿着所述侧壁的绝缘材料；

第二系列的第二导线；所述第二导线沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸；所述第二导线包含可操作地接近所述沟道区的门控区，其中所述门控区通过至少所述绝缘材料从所述沟道区横向偏移；所述第二导线包括钼；以及

存储元件，其与所述上部源极/漏极区耦合。

12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第二导线由所述钼组成。

13.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第二导线中的每一个具有处于从约到约的范围内的横向厚度。

14.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述存储元件包括电容器。

15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述电容器为铁电电容器。

16.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述电容器为非铁电电容器。

17.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述半导体材料包括硅。

18.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述绝缘材料包括二氧化硅。

19.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第一导线为数字线且与感测放大器电路系统耦合。

20.根据权利要求19所述的集成组合件，其中所述第二导线为字线且与字线驱动器电路系统耦合。