[发明专利]一种连续结晶装置及结晶方法

权利要求书

1.一种连续结晶装置，其特征是，包括连续设置的一级结晶釜、二级结晶釜和三级结晶釜，一级结晶釜、二级结晶釜和三级结晶釜内分别配备有搅拌机构，一级结晶釜外设有循环冷却水浴层，循环冷却水浴层上设有冷却供水口和冷却出水口；二级结晶釜外设有冷冻水浴层，冷冻水浴层上设有冷冻供水口和冷冻出水口；三级洁净釜外设有冷冻盐水浴层，冷冻盐水浴层上设有盐水供水口和盐水出水口；一级结晶釜连通设有进料管道，三级洁净釜连通设有出料管道，出料管道外设有离心机。

2.根据权利要求1所述的一种连续结晶装置，其特征是，所述搅拌机构包括搅拌电机和搅拌桨，搅拌桨包括连接搅拌电机的搅拌轴和在搅拌轴上设置的桨叶，搅拌轴上设有滑动套筒，滑动套筒上设有螺旋形的分流桨。

3.根据权利要求1所述的一种连续结晶装置，其特征是，所述循环冷却水浴层、冷冻水浴层和冷冻盐水浴层均采用夹套式布置。

4.根据权利要求2所述的一种连续结晶装置，其特征是，所述搅拌轴上设有接料桶，接料桶包覆在分流桨外部，接料桶的上端开口，接料桶的底部设有换料孔。

5.根据权利要求4所述的一种连续结晶装置，其特征是，所述接料桶的下端设有圆台形的挡面，换料孔位于挡面上。

6.根据权利要求5所述的一种连续结晶装置，其特征是，所述接料桶包括两对半设置的半桶，两个半桶的相对侧的下端分别设有挡板，挡板的高度与挡面的高度匹配，两个半桶可拆卸连接。

7.根据权利要求6所述的一种连续结晶装置，其特征是，所述挡面上设有内陷的第一限位环槽，半桶的上端设有内陷的第二限位环槽，第一限位环槽和第二限位环槽上分别设有限位环。

8.根据权利要求2或4所述的一种连续结晶装置，其特征是，所述搅拌轴上设有内陷环槽，滑动套筒套设在内陷环槽上，滑动套筒的长度小于内陷环槽的槽宽。

9.一种基于上述权利要求1到8任一项所述的连接结晶装置的结晶方法，其特征是，包括以下步骤：

A、将物料导入到一级结晶釜内，搅拌机构运行，循环冷却水浴层采用32~37℃循环水；

B、将经过步骤A的物料引入到二级结晶釜内，搅拌机构运行，冷冻水浴层采用7~12℃低温水；

C、将经过步骤B的物料引入到三级结晶釜内，搅拌机构运行，冷冻盐水浴层采用-10~-15℃冷冻盐水；

D、将经过步骤C的物料引入到离心机内，通过离心机实现物料中微晶核和液体之间的姑爷分离，得到晶体。

10.根据权利要求9所述的一种连续结晶装置的连续结晶方法，其特征是，所述步骤A、步骤B和步骤C中，搅拌机构运行时，搅拌电机正转设定时间后，反转设定时间，搅拌电机的正转和反转交替进行，设定时间选取在30秒到600秒之间。