[发明专利]一种像素单元、显示器件、显示装置及其制备方法在审
申请号: | 202110453609.4 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113193023A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 茆胜 | 申请(专利权)人: | 睿馨(珠海)投资发展有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人: | 刘少伟 |
地址: | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 单元 显示 器件 显示装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于光学微腔技术的像素单元,其特征在于,包括:在基底上形成的反射结构,在所述反射结构内填充有间隔层,在所述反射结构的上方依次设有阳极层、有机发光结构、阴极层;
所述阴极层及其下面的反射结构之间的各层形成了光学微腔,根据所述间隔层不同厚度,使得所述光学微腔从发射的白光中分别激发出不同颜色的光,并生成该颜色的子像素。
2.根据权利要求1所述的一种基于光学微腔技术的像素单元,其特征在于,所述反射结构包括一反射底面和两个反射侧边缘,所述反射底面与发射侧边缘形成U形腔室,所述间隔层置于该U形腔室内。
3.根据权利要求2所述的一种基于光学微腔技术的像素单元,其特征在于,所述反射底面的厚度为0.1um到2um。
4.根据权利要求2所述的一种基于光学微腔技术的像素单元,其特征在于,所述反射侧边缘沿垂直于基底的方向垂直纵向延伸。
5.根据权利要求1所述的一种基于光学微腔技术的像素单元,其特征在于,所述反射结构的反射系数大于或等于70%的可见光范围内的材料形成。或者,反射系数大于或等于80%;或者,反射系数大于或等于85%;或者,反射系数大于或等于90%。
6.根据权利要求5所述的一种基于光学微腔技术的像素单元,其特征在于,所述反射结构的材料包括铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)金属材料,上述的金属材料在可见光范围内具有高强度反射系数和高导电性。
7.根据权利要求1所述的一种基于光学微腔技术的像素单元,其特征在于,所述阳极层的传输系数大于阴极层的传输系数;所述阳极层传输系数大于或等于70%;或者,传输系数大于或等于80%;或者,传输系数大于或等于85%;或者,传输系数大于或等于90%,所述阳极层的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)氧化物中的任意一种。
8.根据权利要求7所述的一种基于光学微腔技术的像素单元,其特征在于,所述阴极层的传输系数严格小于80%,或者,传输系数小于70%,或者,传输系数小于60%;所述阴极层的材料包括铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)金属材料。
9.一种显示器件,其特征在于,包括:基底、以及设置在所述基底内的驱动电路,在所述基底上设有若干个如权利要求1-8任意一项权利要求所述的一种基于光学微腔技术的像素单元,相邻两个所述像素单元的反射结构之间具有一定间距,并填充有绝缘介质,在所述反射结构与基底之间设有介电图案层,在所述介电图案层的外侧设有连接所述驱动电路的金属边缘,实现所述像素单元和驱动电路的联通,用来驱动所述像素单元发光。
10.根据权利要求9所述的一种显示器件,其特征在于,所述绝缘介质的材料为二氧化硅。
11.一种显示装置,包括如权利要求10-11任意一项权利要求所述的显示器件。
12.一种显示器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤,
S1在基底上形成可见光波长范围内的反射结构;
S2在所述反射结构上形成间隔层;
S3在所述间隔层上形成透明的阳极层;
S4在所述阳极层上形成白光有机电致发光层;
S5在所述有机电致发光层上形成阴极层。
13.根据权利要求12所述的一种显示器件的制作方法,其特征在于,所述反射结构与基底之间设有介电图案层。
14.根据权利要求12所述的一种显示器件的制作方法,其特征在于,所述阴极层在可见光波段区域内具有半透明性质;所述阴极层、间隔层和反射结构形成光学谐振器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的