[发明专利]一种像素单元、显示器件、显示装置及其制备方法在审
申请号: | 202110453609.4 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113193023A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 茆胜 | 申请(专利权)人: | 睿馨(珠海)投资发展有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人: | 刘少伟 |
地址: | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 单元 显示 器件 显示装置 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种基于光学微腔技术的像素单元、显示器件、显示装置及其制备方法,该像素单元包括:在基底上形成的反射结构,在所述反射结构内填充有间隔层,在所述反射结构的上方依次设有阳极层、有机发光结构、阴极层;所述阴极层及其下面的反射结构之间的各层形成了光学微腔,根据所述间隔层不同厚度,使得所述光学微腔从发射的白光中分别激发出不同颜色的光,并生成该颜色的子像素。有益效果是:结构可以极大的提高有机发光二极管(OLED)微型显示器件的亮度,降低器件的使用功率;同时通过微腔中间隔层的反射侧边缘的改善了出射光的路径,大大降低红色和绿色子像素之间的串扰问题;本发明还简化了有机发光二极管微型显示器件的结构。
技术领域
本发明涉及水疗设备技术领域,尤其是涉及一种基于光学微腔技术的像素单元、显示器件、显示装置及其制备方法。
背景技术
现有的有机发光二极管(OLED)微型显示器件结构通常是采用白光发光结构加彩色过滤层实现全彩化显示效果。但是由于彩色过滤层的使用会造成亮度的极大衰减,导致OLED微型显示器件的亮度不够,而为了达到使用条件,只能增加OLED微型显示器件的使用电流,这无疑增加了OLED微型显示器件的使用功率,并缩短了使用寿命。同时彩色过滤层对红绿蓝子像素之间可能导致子像素之间的串扰现象产生,进一步影响OLED微型显示器件的显示效果。
因此,本发明提出了一种基于光学微腔技术的像素单元、显示器件、显示装置及其制备方法。
发明内容
本发明提供一种基于光学微腔技术的像素单元、显示器件、显示装置及其制备方法。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种基于光学微腔技术的像素单元,包括:在基底上形成的反射结构,在所述反射结构内填充有间隔层,在所述反射结构的上方依次设有阳极层、有机发光结构、阴极层;
所述阴极层及其下面的反射结构之间的各层形成了光学微腔,根据所述间隔层不同厚度,使得所述光学微腔从发射的白光中分别激发出不同颜色的光,并生成该颜色的子像素。
在一些实施例中,所述反射结构包括一反射底面和两个反射侧边缘,所述反射底面与发射侧边缘形成U形腔室,所述间隔层置于该U形腔室内。
在一些实施例中,所述反射底面的厚度为0.1um到2um。
在一些实施例中,所述反射侧边缘沿垂直于基底的方向垂直纵向延伸。
在一些实施例中,所述反射结构的反射系数大于或等于70%的可见光范围内的材料形成。优选的,反射系数大于或等于80%;更优选的,反射系数大于或等于85%;更优选的,反射系数大于或等于90%。
在一些实施例中,所述反射结构的材料包括铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)等金属材料,上述的金属材料在可见光范围内具有高强度反射系数和高导电性。
在一些实施例中,所述阳极层的传输系数大于阴极层的传输系数;所述阳极层传输系数大于或等于70%;优选的,传输系数大于或等于80%;更优选的,传输系数大于或等于85%;更优选的,传输系数大于或等于90%,所述阳极层的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等氧化物中的任意一种。
在一些实施例中,所述阴极层的传输系数严格小于80%,优选的,传输系数小于70%,更优选的,传输系数小于60%;所述阴极层的材料包括铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)等金属材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的