[发明专利]一种半导体晶片切割装置

说明书

本发明公开了一种半导体晶片切割装置，属于半导体技术领域。一种半导体晶片切割装置，包括竖板、固定板和硅体，所述竖板上固定连接有第一电机，所述第一电机的输出轴上连接有第一锥齿轮，所述竖板上转动连接有第一转轴，所述第一转轴的底部固定连接有与第一锥齿轮啮合相连的第二锥齿轮，所述竖板的侧壁转动连接有往复丝杆，所述第一转轴和往复丝杆之间通过第一皮带相连接，所述往复丝杆上螺纹连接有滑箱，所述滑箱的底部设有切割机构，所述滑箱的底部设有驱动切割机构的第二电机；本发明能够对切割盘进行快速降温处理，提高切割盘的使用寿命，并能够对切割后产生的碎屑进行清理，保证晶片表面的清洁，方便后续加工。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体晶片切割装置。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。在芯片制造时，需要大量的使用半导体晶片。

半导体晶片的获取方法是对原材料硅进行切割得到目的晶片，而为了提高切割后获取的晶片表面的平整度，通常使用金刚石切割片来进行切割工作，但是在切割过程中切割片表面产生大量热量，这些热量容易使金刚石石墨化，切割盘也容易被灼伤和脱落，从而影响切割片的使用寿命。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中半导体晶片的获取方法是对原材料硅进行切割得到目的晶片，而为了提高切割后获取的晶片表面的平整度，通常使用金刚石切割片来进行切割工作，但是在切割过程中切割片表面产生大量热量，这些热量容易使金刚石石墨化，切割盘也容易被灼伤和脱落，从而影响切割片的使用寿命，而提出的一种半导体晶片切割装置。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种半导体晶片切割装置，包括竖板、固定板和硅体，所述竖板上固定连接有第一电机，所述第一电机的输出轴上连接有第一锥齿轮，所述竖板上转动连接有第一转轴，所述第一转轴的底部固定连接有与第一锥齿轮啮合相连的第二锥齿轮，所述竖板的侧壁转动连接有往复丝杆，所述第一转轴和往复丝杆之间通过第一皮带相连接，所述往复丝杆上螺纹连接有滑箱，所述滑箱的底部设有切割机构，所述滑箱的底部设有驱动切割机构的第二电机，所述滑箱内设有与切割机构相配合的冷却机构和清理机构。

为了对硅体进行切割，优选的，所述切割机构包括第一切割盘和第二切割盘，所述第二电机的输出端固定连接有第二转轴，所述第一切割盘固定连接有第二转轴上，所述滑箱内分别转动连接有第三转轴和第四转轴，所述第三转轴与第二转轴之间连接有锥齿轮组一，所述第三转轴上固定连接有第三带轮，所述第四转轴上固定连接有第四带轮，所述第三带轮和第四带轮之间连接有第二皮带，所述滑箱的底部转动连接有第五转轴，所述第二切割盘固定连接在第五转轴上，所述第四转轴和第五转轴之间连接有锥齿轮组二。

为了对切割机构进行降温，进一步的，所述冷却机构包括冷却液箱、第一曲轴、第一连接箱和第一活塞，所述冷却液箱和第一连接箱均固定连接在滑箱内，所述第一活塞滑动连接在第一连接箱内，所述第一曲轴固定连接在第四转轴上，所述第一曲轴的外壁转动连接有第一连接杆，所述第一连接杆远离第一曲轴的一端与第一活塞的侧壁转动相连，所述第一连接箱和冷却液箱之间连接有抽液管，所述抽液管内设有单向阀，所述第一连接箱的侧壁连接有与第二切割盘位置对应的喷液管，所述喷液管上连接有与第一切割盘位置对应的喷液支管。