[发明专利]一种铸造纵列多结光伏电池

权利要求书

1.一种铸造纵列多结光伏电池，其特征在于：所述光伏电池包括：

电池基板，所述电池基板具有若干贯穿孔；

晶硅pn结；

禁带宽度为1.5～2.5eV的第二pn结，所述晶硅pn结位于所述电池基板与所述第二pn结之间；

背面电极，所述背面电极通过填充在所述电池基板的贯穿孔中的导体与所述硅pn结电连接；

以及，表面电极，所述表面电极与所述第二pn结电连接。

2.根据权利要求1所述的铸造纵列多结光伏电池，其特征在于：所述晶硅pn结为单晶硅pn结或多晶硅pn结；

优选地，所述晶硅pn结的厚度为40～60微米。

3.根据权利要求1所述的铸造纵列多结光伏电池，其特征在于：所述第二pn结为CdTe、Ca_1.7Fe_0.3Te、Ca₂Si、ZnTe、Os₂Si₃、Zn_0.75Sn_0.25Te、Cd_0.5Zn_0.5Te或非晶硅pn结；

优选地，所述第二pn结的厚度为0.4～2微米；

优选地，所述第二pn结为Ca₂Si或Os₂Si₃ pn结，且在所述第二pn结与所述硅pn结之间具有形成硅浓度梯度的过渡层；

更优选地，所述过渡层的厚度不大于0.1微米；

更优选地，所述过渡层的厚度为0.01～0.05微米。

4.根据权利要求1所述的铸造纵列多结光伏电池，其特征在于：所述电池基板为陶瓷基板，填充在所述电池基板的贯穿孔中的导体为导电玻璃。

5.根据权利要求1所述的铸造纵列多结光伏电池，其特征在于：所述光伏电池具有以下层状结构之一：

电池基板/n型晶硅/p型晶硅/n型Ca₂Si/p型Ca₂Si；

电池基板/p型晶硅/n型晶硅/p型Ca₂Si/n型Ca₂Si；

电池基板/n型晶硅/p型晶硅/具有形成硅浓度梯度的过渡层/n型Ca₂Si/p型Ca₂Si；

或者，电池基板/p型晶硅/n型晶硅/具有形成硅浓度梯度的过渡层/p型Ca₂Si/n型Ca₂Si。

6.权利要求1所述铸造纵列多结光伏电池的制备方法，包括：

用导体填充电池基板的贯穿孔的步骤；

在电池基板上形成晶硅pn结的步骤；

在晶硅pn结上形成第二pn结的步骤；

形成背面电极和表面电极的步骤。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：

用导体填充电池基板的贯穿孔的步骤；

在电池基板上形成n型晶硅的步骤；

对n型晶硅进行硼扩散形成晶硅pn结的步骤；

在晶硅pn结上溅射n型第二半导体的步骤；

在n型第二半导体上溅射p型第二半导体形成第二pn结的步骤；

形成背面电极和表面电极的步骤；

或者，

用导体填充电池基板的贯穿孔的步骤；

在电池基板上形成p型晶硅的步骤；

对p型晶硅进行磷扩散形成晶硅pn结的步骤；

在晶硅pn结上溅射p型第二半导体的步骤；

在p型第二半导体上溅射n型第二半导体形成第二pn结的步骤；

形成背面电极和表面电极的步骤。