[发明专利]一种铸造纵列多结光伏电池在审
申请号: | 202110455918.5 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113206164A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 高文秀;佐佐木实;赵百通;高向曈 | 申请(专利权)人: | 宜兴市昱元能源装备技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/0725 | 分类号: | H01L31/0725;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人: | 宋春荣 |
地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铸造 纵列 多结光伏 电池 | ||
本发明公开了一种铸造纵列多结光伏电池,该光伏电池包括:电池基板,所述电池基板具有若干贯穿孔;晶硅pn结;禁带宽度为1.5~2.5eV的第二pn结,所述晶硅pn结位于所述电池基板与所述第二pn结之间;背面电极,所述背面电极通过填充在所述电池基板的贯穿孔中的导体与所述硅pn结电连接;以及,表面电极,所述表面电极与所述第二pn结电连接。该光伏电池的制备过程包括:用导体填充电池基板的贯穿孔的步骤;在电池基板上形成晶硅pn结的步骤;在晶硅pn结上形成第二pn结的步骤;形成背面电极和表面电极的步骤。与现有纵列光伏电池相比,本发明的光伏电池具有生产操作简单易控、成本低、光电转换效率高的优势。
技术领域
本发明属于光伏电池领域,具体涉及一种铸造纵列多结光伏电池。
背景技术
硅基光伏电池的一个重要弱点是间接跃迁光电效应发电。受到硅禁带宽度的影响,能够参与发电的波长受到限制,对于能量大于1.12eV的波长反而不参与光伏发电过程,对提高光伏电池的转换效率没有贡献,参见图1。传统纵列式光伏电池构造将明显增加电池厚度,不同禁带宽度的半导体晶体具有不同的晶格常数,一般来说晶格常数大的晶体具有相对小一些的禁带宽度。特别当不同晶格常数的晶体结合时在异质结界面的两侧将形成晶格失配,产生异质结界面处应力等对发电产生负面影响的因素,比如成为少数载流子的复合中心。
传统纵列式电池已经有很多物理模型,比如三纵列模型:InGaP/GaAs/Ge,InGaP/GaAs/InGaAs构造,可以实现纵列电池需要的禁带宽度需求,但是其晶体生长技术困难,成本巨高,除了用于宇航军事等不计成本的用途外,几乎没有市场商业价值。
发明内容
本发明的目的在于克服传统纵列式电池的上述不足,提供一种生产操作简单易控、成本低的铸造纵列多结光伏电池。
为实现上述目的,本发发明采取的技术方案如下;
一种铸造纵列多结光伏电池,所述光伏电池包括:
电池基板,所述电池基板具有若干贯穿孔;
晶硅pn结;
禁带宽度为1.5~2.5eV的第二pn结,所述晶硅pn结位于所述电池基板与所述第二pn结之间;
背面电极,所述背面电极通过填充在所述电池基板的贯穿孔中的导体与所述硅pn结电连接;
以及,表面电极,所述表面电极与所述第二pn结电连接。
优选地,所述晶硅pn结为单晶硅pn结或多晶硅pn结。
更优选地,所述晶硅pn结的厚度为40~60微米。
优选地,所述第二pn结为CdTe、Ca1.7Fe0.3Te、Ca2Si、ZnTe、Os2Si3、Zn0.75Sn0.25Te、Cd0.5Zn0.5Te或非晶硅pn结。
更优选地,所述第二pn结的厚度为0.4~2微米。
更优选地,所述第二pn结为Ca2Si或Os2Si3 pn结,且在所述第二pn结与所述硅pn结之间具有形成硅浓度梯度的过渡层。
优选地,所述过渡层的厚度不大于0.1微米。
更优选地,所述过渡层的厚度为0.01~0.05微米。
优选地,所述电池基板为陶瓷基板,填充在所述电池基板的贯穿孔中的导体为导电玻璃。
优选地,所述光伏电池具有以下层状结构之一:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的