[发明专利]一种高阻隔纺粘型半导体新材料制备设备

说明书

本发明公开了一种高阻隔纺粘型半导体新材料制备设备，其结构设有底板、置料板、运作架、控制架、导轨、电机，置料板固定安装在底板顶部，运作架滑动连接在底板上，控制架连接在运作架的旁侧位置且活动配合，电机安装在底板上方一侧位置处，由惯性力使位移块做向下滑动，贯穿杆向下推压下端的弧块，令上下端的弧块之间的磁场力变化，便于上端的弧块下降，让贯穿杆向下延伸得限度更佳，利于位移块更好的带动抵架向下位移更长距离，通过受扯块自身的牵扯性，其随弧块位移而受扯延伸，便于弹簧钢更好的对活动环产生侧向顶推力，令活动环对两侧产生撞击力，传导至抵架，进一步辅助抵架在抵压膜料后，对膜料产生震动，令膜料脱离抵架。

技术领域

本发明属于半导体新材料制备领域，更具体地说，尤其是涉及到一种高阻隔纺粘型半导体新材料制备设备。

背景技术

随着现代工业技术的不断发展，新材料的研制与运用也逐渐占据重要地位，高阻隔性pvdc薄膜是高阻隔纺粘型半导体新材料中的一种，其优越特性使其在包装领域上得到广泛应用，其在生产制备工序中需要进行打孔，使其更便捷的运用于人们的生活中。

基于上述本发明人发现，现有的高阻隔纺粘型半导体新材料制备设备存在以下不足：

薄膜钻孔设备在对pvdc薄膜进行钻孔作业中，由于膜料较为柔软，当与钻孔头接触后，不易及时脱离钻孔头，而容易随钻孔头活动继而被向上带起，人员还需将膜料向下压回，增加人员工作量。

因此需要提出一种高阻隔纺粘型半导体新材料制备设备。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种高阻隔纺粘型半导体新材料制备设备，以解决现有技术的问题。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种高阻隔纺粘型半导体新材料制备设备，其结构设有底板、置料板、运作架、控制架、导轨、电机，所述置料板固定安装在底板顶部，所述运作架滑动连接在底板上，所述控制架连接在运作架的旁侧位置且活动配合，所述控制架滑动连接于导轨上，所述电机安装在底板上方一侧位置处。

所述运作架设有撑架、卡位板、打孔装置、导向柱，所述卡位板嵌固连接在撑架下端两侧，所述导向柱安装在撑架顶端位置，所述打孔装置贯穿过撑架、导向柱内部。

作为本发明的进一步改进，所述打孔装置设有实块、孔头、活动装置，所述活动装置与实块为一体化结构且位于其下端位置，所述孔头固定位于活动装置下方，所述活动装置活动于孔头两侧端，所述孔头呈倒三角锥状形态，所述活动装置内部呈空腔状态。

作为本发明的进一步改进，所述活动装置设有位移块、抵架、伸缩架，所述位移块连接在伸缩架下方且活动配合，所述抵架上端铰接连接于位移块中间位置且活动配合，所述位移块嵌入活动于活动装置内侧，所述抵架呈八字结构，所述伸缩架具有伸缩性质。

作为本发明的进一步改进，所述位移块设有滑行板、贯穿杆、弧块、形变体，所述贯穿杆穿接过滑行板两侧端，所述弧块两侧端与贯穿杆分别相连接且活动配合，所述形变体连接在滑行板下方，所述滑行板为两侧端有竖向贯通径的板块，所述贯穿杆外缠绕有弹簧，所述弧块为带有磁性的弧形块状物，且设有两个，呈上下对称结构，产生相斥磁场。

作为本发明的进一步改进，所述形变体设有受扯块、活动环、弹簧钢，所述受扯块与活动环相贯穿，所述弹簧钢一端与受扯块侧端相连接，所述弹簧钢另一端与活动环内侧端间隙配合连接，所述受扯块为牵扯性及弹性力较好的顺丁橡胶材质块状物，所述活动环为环状结构。

作为本发明的进一步改进，所述抵架设有衔接杆、抵压球，所述抵压球嵌固连接在衔接杆下端位置且活动配合，所述衔接杆可进行铰接摆折运动，所述抵压球呈圆球结构。