[发明专利]化学机械研磨方法以及化学机械研磨设备

说明书

本发明公开了一种化学机械研磨方法以及化学机械研磨设备。该化学机械研磨方法包括：将n个待研磨件的研磨表面划分为U个研磨区域，其中，研磨区域的数量和化学机械研磨设备中研磨头的数量相等，且一一对应设置，n的取值包括大于或等于1的整数，U的取值包括大于或等于1的整数；根据第m个待研磨件中每个研磨区域的实际研磨厚度，利用化学机械研磨设备对第m个待研磨件进行化学机械研磨，其中，m的取值大于或等于1，且小于或等于n。本发明实施例提供的技术方提高了至少一个待研磨件的化学机械研磨方法的精确度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨方法以及化学机械研磨设备。

背景技术

在半导体集成电路制备过程中，通常需要化学机械研磨(CMP)设备对待研磨件进行研磨，使得待研磨件研磨后的厚度和表面平整度达到预设要求。其中，待研磨件为半导体集成电路中的一个膜层。

由于待研磨件制备工艺过程中的差异，不同的待研磨件的同一区域的研磨厚度会随着待研磨件的厚度和表面平整度的变化而不同。同一待研磨件的不同区域的研磨厚度会随着待研磨件的厚度和表面平整度的变化而不同。目前化学机械研磨时，很难根据每一个待研磨件的每一个研磨区域的实际研磨厚度对待研磨件进行化学机械研磨，导致化学机械研磨方法的精度不高，进而导致待研磨件研磨后的厚度和表面平整度不能达到预设要求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种化学机械研磨方法以及化学机械研磨设备，以提高至少一个待研磨件的化学机械研磨方法的精确度。

第一方面，本发明实施例提供了一种化学机械研磨方法，包括：

将n个待研磨件的研磨表面划分为U个研磨区域，其中，所述研磨区域的数量和化学机械研磨设备中研磨头的数量相等，且一一对应设置，所述n的取值包括大于或等于1的整数，所述U的取值包括大于或等于1的整数；

根据第m个所述待研磨件中每个所述研磨区域的实际研磨厚度，利用所述化学机械研磨设备对第m个所述待研磨件进行化学机械研磨，其中，所述m的取值大于或等于1，且小于或等于n。

第二方面，本发明实施例提供了一种化学机械研磨设备，采用第一方面任意所述的化学机械研磨方法对n个待研磨件进行化学机械研磨，其中，所述n的取值包括大于或等于1的整数。

本实施例提供的技术方案，根据第m个待研磨件中每个研磨区域的实际研磨厚度，利用化学机械研磨设备对第m个待研磨件进行化学机械研磨，可以实现针对n个待研磨件中的每一个待研磨件的每一个研磨区域的厚度和表面平整度来去除实际研磨厚度，最后实现同一个待研磨件不同研磨区域的厚度和表面平整度达到预设要求，同时实现不同待研磨件的同一研磨区域的厚度和表面平整度达到预设要求，进而提高了针对n个待研磨件的化学机械研磨方法的精确度。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种化学机械研磨方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种待研磨件的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种化学机械研磨方法的结构示意图；

图4为图3中步骤220包括的一种流程示意图；

图5为图3中步骤220包括的另一种流程示意图；

图6示出了第m个带研磨件的不同研磨区域对应的研磨头在不同研磨压力下对应的研磨量的曲线图；

图7为图3中步骤220包括的又一种流程示意图；

图8为图3中步骤240包括流程示意图；

图9为图8中步骤2401包括的流程示意图；

图10为图9中步骤24010包括的一种流程示意图；