[发明专利]一种LED芯片及一种半导体发光器件

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，形成在所述衬底的表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第一半导体层、第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；

透明导电层，形成在所述第二台面的表面上，具有多个通孔；

第一导电结构，形成在所述第一台面的表面上，与所述第一半导体层连接；

第二导电结构，形成在所述第二台面的表面上，并分别填充所述透明导电层中的多个通孔，以直接与所述第二台面的第二半导体层连接；

第一焊盘，形成在所述第一台面上，覆盖所述第一导电结构；

第二焊盘，形成在所述第二台面上，覆盖所述第二导电结构；

其中，所述多个通孔孔心间的最小间距不小于所述第二焊盘底面最长对角线长度的二分之一。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述通孔在所述透明导电层上均匀分布。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，第二焊盘底面为矩形区域，所述透明导电层至少具有两个通孔，且两个通孔在所述矩形区域内呈对角分布。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述两个通孔孔心间的连线与所述矩形区域的对角线重合。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层至少具有三个通孔，且三个通孔呈三角分布。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层形成在所述第一台面和透明导电层的表面，以及第一导电结构、第二导电结构和第二台面的侧壁上。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层为DBR结构，所述DBR结构包括交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层具有不同的折射率，所述DBR结构包括20～70对第一材料层和第二材料层构成的电流阻挡层对。

8.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

基板，所述基板设置多个固晶区；

多个相同的LED芯片，所述LED芯片包括：

衬底；

外延层，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第一半导体层、第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；

透明导电层，形成在所述第二台面的表面上，具有均匀分布的多个通孔；

第一导电结构，形成在所述第一台面的表面上，与所述第一半导体层连接；

第二导电结构，形成在所述第二台面的表面上，并分别填充所述透明导电层中的多个通孔，以直接与所述第二台面的第二半导体层连接；

第一焊盘，形成在所述第一台面上，覆盖所述第一导电结构；

第二焊盘，形成在所述第二台面上，覆盖所述第二导电结构；

其中，所述多个通孔孔心间的最小间距不小于所述第二焊盘底面最长对角线长度的二分之一；

封装层，所述封装层包裹所述基板和多个相同的LED芯片。

9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，所述基板为长条形的柔性基板。

10.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，所述多个相同的LED芯片形成在所述基板的多个固晶区上。

11.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，所述封装层为荧光封装层。

12.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，所述基板的两端分别设置有第一电极和第二电极。