[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110458133.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113192890A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王二伟;顾立勋;夏余平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
形成半导体结构，所述半导体结构包括衬底以及位于所述衬底内的高压阱区和低压阱区，所述高压阱区上覆盖有第一氧化层，所述低压阱区上覆盖有第二氧化层；
在所述第一氧化层和所述第二氧化层上形成氮化硅层并图案化所述氮化硅层；
刻蚀所述所述第一氧化层和第二氧化层直至所述衬底中，形成凹槽；
通过清洗剂对所述凹槽进行清洗，所述清洗剂包括氢氟酸；
通过热氧化在暴露于所述凹槽内的衬底表面形成衬垫氧化物；
通过沉积工艺在所述凹槽内和所述氮化硅上沉积介电层；
以所述氮化硅层作为停止层对所述介电层进行研磨，在所述凹槽内形成浅沟道隔离结构。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氮化硅层上还形成有氮氧化硅层，在对沟槽进行清洗之前，去除所述氮氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高压阱区包括多个第一掺杂类型阱和多个第二掺杂类型阱，所述第一掺杂类型阱和所述第二掺杂类型阱间隔分布。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离凹槽位于所述第一掺杂类型阱和所述第二掺杂类型之间，以及所述高压阱区与所述低压阱区之间。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述凹槽内形成浅沟道隔离结构的步骤之后，还包括：
在所述第一氧化层和所述第二氧化层的表面上形成阵列结构，形成所述阵列结构的步骤包括在所述第一氧化层和所述第二氧化层的表面上形成栅叠层结构、贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱以及形成多个导电通道，部分所述导电通道贯穿所述栅叠层结构。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为3D存储器件。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述凹槽内形成浅沟道隔离的步骤之后，还包括：
在所述第一氧化层和所述第二氧化层的表面上形成栅极导体层和栅极侧墙；
在所述高压阱区和低压阱区中形成源/漏区。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为互补金属氧化物半导体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
