[发明专利]一种存储器的信息区数据上电自检方法

权利要求书

1.一种存储器的信息区数据上电自检方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：在存储器的信息区中选取M个存储单元，M为正整数，在M个存储单元中分别设置译码位；

S2：在向存储器的信息区配置数据时，分别向M个存储单元的译码位写入一位二进制的校验数据；

S3：MCU芯片上电；

S4：MCU芯片的运行系统自动加载存储器的信息区的配置数据，接着提取所述M个存储单元的译码位的校验数据进行译码，如果译码成功则MCU芯片的运行系统继续运行，否则重新执行步骤S4，直至译码成功。

2.根据权利要求1所述的一种存储器的信息区数据上电自检方法，其特征在于：M个存储单元连续分布，M不大于存储单元的位数，M个存储单元的译码位的位置互不相同。

3.根据权利要求1或2所述的一种存储器的信息区数据上电自检方法，其特征在于：步骤S4中所述译码成功是指M个存储单元的译码位的校验数据在译码后的数据和预设值相同。

4.根据权利要求2所述的一种存储器的信息区数据上电自检方法，其特征在于：步骤S2中，将M个存储单元的译码位的校验数据按照存储地址增加的顺序依次存入到存储器的信息区的存储单元A的M位bit中，所述译码成功是指所述MCU芯片的运行系统提取到的M个存储单元的译码位的校验数据和存储单元A的M位bit中的数据相同。