[发明专利]一种干膜抗蚀剂组合物

说明书

本发明属于印刷电路板制造技术领域，具体公开了一种干膜抗蚀剂组合物，包括以下重量份的原料：碱溶性树脂45~65份，光聚合单体35~50份，光引发剂0.1~5.0份，添加剂1.0‑5.0份；所述光聚合单体包括极性基团改性、EO/PO修饰的（甲基）丙烯酸酯化合物，所述极性基团为磷酸酯类、异氰尿酸类、1,3,5‑三嗪类、嘧啶类或者喹唑啉类基团。本发明在光聚合单体中引入的极性基团改性、EO/PO修饰的（甲基）丙烯酸酯化合物，与干膜抗蚀剂体系相容性好，能有效提高干膜抗蚀剂附着力，并且不会对干膜抗蚀剂的显影性和柔韧性造成不利影响。

技术领域

本发明属于印刷电路板制造技术领域，具体涉及一种干膜抗蚀剂组合物。

背景技术

在印刷电路板、引线框架、太阳能电池、导体封装、BGA（Ball Grid Array）、CPS（Chip Size Package）封装中，干膜抗蚀剂被广泛用作图形转移的材料。例如，在制造印刷电路板时，首先在铜基板上贴合干膜抗蚀剂，用具有一定图案的掩模遮盖于干膜抗蚀剂，进行图形曝光；然后利用弱碱性水溶液作为显影液去除未曝光部位，再实施蚀刻或电镀处理而形成图形；最后用去除剂剥离去除干膜固化部分，从而实现图形转移。

在智能终端设备大规模普及和5G建设快速推进的背景下，印刷电路板（PCB）行业的技术正发生新的变革，就PCB产品而言，高密度化、柔性化、高集成化是未来的发展方向。对于生产如HDI板、IC载板等高密度化和高集成化的PCB产品而言，普遍要求精度为15μm左右，这就要求作为图形转移作用的干膜抗蚀剂具有更高分辨率，并且在铜基板上有极好的附着能力，以确保干膜在显影、电镀或蚀刻等存在高压喷淋、较长时间与腐蚀性化学试剂接触的苛刻工艺之后，依然完好无损地附着于覆铜板基材上。

为了提高干膜抗蚀剂的解析能力（分辨率），需要降低膜厚，膜厚一般在30微米以下，而膜厚降低了，其机械强度、与铜基板的附着力也会相应地降低。碱溶树脂、光聚合单体是干膜抗蚀剂组合物的最重要组成部分，其性能直接决定了干膜抗蚀剂各方面的性能。为了保证干膜抗蚀剂的高附着力，现在普遍使用的方法是在碱溶性树脂中加入附着力和刚性更好的（甲基）丙烯酸苄酯、苯乙烯、苯乙烯衍生物作为共聚组份，或者在光聚合单体中添加多官能团的单体提高交联密度。这两种方法带来的弊端是得到的干膜抗蚀剂变硬变脆，会因韧性不够而导致抗蚀图形易发生断路、缺口、填充性差等情况。另一种提高干膜抗蚀剂的附着力的途径是添加附着力促进剂，常用的附着力促进剂比如含磷酸基团的（甲基）丙烯酸酯、苯并三氮唑类的化合物等，但这些物质与干膜抗蚀剂的体系兼容性不是很好，成本极高，添加量极少，起到的作用也极其有限。此外，由于高精密线路中线与线之间的距离极小，显影时可供冲洗的空间极其狭窄，所以对干膜抗蚀剂的显影性方面的要求也极高，如果只追求附着力方面的性能，其显影方面也会存在明显的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种干膜抗蚀剂组合物，附着力佳、显影性好、分辨率高。

为达到上述目的，本发明采用的具体技术方案如下：

一种干膜抗蚀剂组合物，包括以下重量份的原料：碱溶性树脂45~65份，光聚合单体35~50份，光引发剂0.1~5.0份；所述光聚合单体包括极性基团改性、EO/PO修饰的（甲基）丙烯酸酯化合物，所述极性基团为磷酸酯类、异氰尿酸类、1,3,5-三嗪类、嘧啶类或者喹唑啉类基团。所述EO/PO修饰是指具有EO/PO共聚基团，即下文结构式中的部分，其中EO为乙氧基，PO为丙氧基。所述光聚合单体中极性基团改性、EO/PO修饰的（甲基）丙烯酸酯化合物可以是一种也可以是多种；所述（甲基）丙烯酸酯化合物指的是丙烯酸酯化合物或者甲基丙烯酸酯化合物。上述干膜抗蚀剂组合物的配方中，如果光聚合单体重量份低于35份，则干膜抗蚀剂组合物容易产生低感度和低分辨率的问题；如果重量份高于50份，则容易溢胶。