[发明专利]半导体器件的测试结构及漏电分析方法

权利要求书

1.一种半导体器件的测试结构，其特征在于，包括：

第一导电结构，包括：位于第一平面内的第一导电线和多个第二导电线；其中，每个所述第二导电线分别垂直于同一条所述第一导电线，且每个所述第二导电线的一端与同一条所述第一导电线电连接，任意相邻两条所述第二导电线的另一端之间彼此间隔；

第二导电结构，包括：位于所述第一平面内的多个第三导电线和位于第二平面内的第四导电线；其中，每个所述第三导电线位于相邻的两个所述第二导电线之间，所述第三导电线分别与所述第一导电线以及所述第二导电线电绝缘，所述第二平面与所述第一平面不同；

第一导电柱，电连接所述第三导电线和所述第四导电线。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：

第一导电层，位于所述第一平面内，通过所述第一导电线与多个所述第二导电线分别电连接；

第二导电层，位于所述第二平面内，通过所述第四导电线以及多个所述第一导电柱与多个所述第三导电线分别电连接。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：

金属互连结构；其中，所述第一导电层通过所述金属互连结构与衬底电连接。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，相邻的两个所述第二导电线之间的距离相等。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，

每个所述第三导电线位于相邻的两个所述第二导电线的居中位置。

6.一种半导体器件的漏电分析方法，其特征在于，所述半导体器件包括如权利要求1至5任一项所述的测试结构，所述方法包括：

去除位于所述第二平面内的所述第四导电线，直至显露所述第一导电柱；

对所述第一导电柱执行电性检测，获得第一检测结果；

基于所述检测结果中所述第一导电柱呈现的图像，对所述半导体器件进行漏电分析。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述检测结果中所述第一导电柱呈现的图像，对所述半导体器件进行漏电分析，包括：

所述检测结果中所述第一导电柱呈现亮色，对应于与所述第一导电柱电连接的所述第三导电线漏电；

所述检测结果中所述第一导电柱呈现暗色，对应于与所述第一导电柱电连接的所述第三导电线不漏电。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一检测结果指示与所述第一导电柱电连接的所述第三导电线漏电时，所述方法还包括：

去除与漏电的所述第三导电线电连接的所述第一导电柱，形成凹槽；其中，所述凹槽的侧壁显露漏电的所述第三导电线相对远离所述第一导电线的端部；

对漏电的所述第三导电线执行所述电性检测，获得第n个第二检测结果；其中，n为自然数；

当所述第n个第二检测结果指示剩余的所述第三导电线漏电时，沿朝向所述第一导电线的方向去除漏电的所述第三导电线的部分区域，以将所述凹槽的宽度从第n宽度增大为第(n+1)宽度，并对剩余的所述第三导电线执行所述电性检测，获得第(n+1)个第二检测结果；

当所述第(n+1)个第二检测结果指示剩余的所述第三导电线不漏电时，根据所述凹槽的所述第n宽度和所述第(n+1)宽度，确定所述第三导电线发生漏电的区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述第(n+1)个第二检测结果指示剩余的所述第三导电线漏电时，再次沿朝向所述第一导电线的方向去除漏电的所述第三导电线的部分区域，以将所述凹槽的宽度从所述第(n+1)宽度增大为第(n+2)宽度，并对剩余的所述第三导电线执行所述电性检测，获得第(n+2)个第二检测结果。

10.根据权利要求6至9任一项所述的方法，其特征在于，所述电性检测包括：电压衬度检测或电子束检测。