[发明专利]半导体器件的测试结构及漏电分析方法

说明书

本公开实施例公开了一种半导体器件的测试结构及漏电分析方法。所述测试结构包括：第一导电结构，包括：位于第一平面内的第一导电线和多个第二导电线；其中，每个所述第二导电线分别垂直于所述第一导电线，且每个所述第二导电线的一端与所述第一导电线电连接；第二导电结构，包括：位于所述第一平面内的多个第三导电线和位于第二平面内的第四导电线；其中，每个所述第三导电线位于相邻的两个所述第二导电线之间，所述第三导电线分别与所述第一导电线以及所述第二导电线电绝缘，所述第二平面与所述第一平面不同；第一导电柱，电连接所述第三导电线和所述第四导电线。

技术领域

本公开实施例涉及半导体器件领域，尤其涉及一种半导体器件的测试结构及漏电分析方法。

背景技术

在半导体器件的制作过程中，通常会在衬底上形成多个裸芯以及位于裸芯之间切割道上的测试结构，裸芯用于实现信息的存储，测试结构用于检测裸芯的电性参数。测试结构的检测结果合格后，承载有多个裸芯的晶圆进入切割和封装工序。

相关技术中，在测试结构制作完成后，通过晶圆验收测试设备检测该测试结构的电气特性，在晶圆验收测试结束后，根据检测结果确定裸芯是否失效。在该检测结果指示裸芯失效时，再对该测试结构进行失效分析，确定失效点以及找出导致裸芯失效的原因，需要耗费较长的时间。因此，如何更好的设计半导体器件的测试结构，以减少失效分析的时间，成为亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体器件的测试结构及漏电分析方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体器件的测试结构，包括：

第一导电结构，包括：位于第一平面内的第一导电线和多个第二导电线；其中，每个所述第二导电线分别垂直于所述第一导电线，且每个所述第二导电线的一端与所述第一导电线电连接；

第二导电结构，包括：位于所述第一平面内的多个第三导电线和位于第二平面内的第四导电线；其中，每个所述第三导电线位于相邻的两个所述第二导电线之间，所述第三导电线分别与所述第一导电线以及所述第二导电线电绝缘，所述第二平面与所述第一平面不同；

第一导电柱，电连接所述第三导电线和所述第四导电线。

在一些实施例中，所述测试结构还包括：

第一导电层，位于所述第一平面内，通过所述第一导电线与多个所述第二导电线分别电连接；

第二导电层，位于所述第二平面内，通过所述第四导电线以及多个所述第一导电柱与多个所述第三导电线分别电连接。

在一些实施例中，所述测试结构还包括：

金属互连结构；其中，所述第一导电层通过所述金属互连结构与衬底电连接。

在一些实施例中，相邻两个所述第二导电线之间的距离相等。

在一些实施例中，每个所述第三导电线位于相邻的两个所述第二导电线的居中位置。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种半导体器件的漏电分析方法，所述半导体器件包括上述任一实施例中所述的测试结构，所述方法包括：

去除位于所述第二平面内的所述第四导电线，直至显露所述第一导电柱；

对所述第一导电柱执行电性检测，获得第一检测结果；

基于所述第一检测结果中所述第一导电柱呈现的图像，对所述半导体器件进行漏电分析。

在一些实施例中，所述基于所述第一检测结果中所述第一导电柱呈现的图像，对所述半导体器件进行漏电分析，包括：

所述第一检测结果中所述第一导电柱呈现亮色，对应于与所述第一导电柱电连接的所述第三导电线漏电；