[发明专利]半导体器件的性能检测方法和检测模型的建立方法

权利要求书

1.一种半导体器件的性能检测方法，其特征在于，包括步骤：

将待测半导体器件的沟道尺寸输入到检测模型中；

所述检测模型根据所述待测半导体器件的沟道尺寸，将所述待测半导体器件对应到由多个点模型构成的块模型区中；

所述检测模型将所述块模型区中多个点模型的沟道尺寸和器件特性输入到差值公式中，形成联立方程式，并通过所述联立方程式得出所述待测半导体器件的关系参数；以及

所述检测模型将所述待测半导体器件的关系参数和沟道尺寸代入到差值公式中，得到所述待测半导体器件的器件特性，并输出所述器件特性作为检测结果。

2.如权利要求1所述的半导体器件的性能检测方法，其特征在于，所述差值公式为其中，L为半导体器件的沟道长参数，W为半导体器件的沟道宽参数，VTO为半导体器件的关系参数，LVTO为半导体器件中沟道长参数对应的关系参数，WVTO为半导体器件中沟道宽参数对应的关系参数，PVTO为半导体器件中器件特性对应的关系参数，P(L,W)为半导体器件的器件特性。

3.如权利要求2所述的半导体器件的性能检测方法，其特征在于，所述块模型区由四个点模型构成，且四个点模型围成矩形，所述检测模型将所述块模型区中多个点模型的沟道尺寸和器件特性输入到差值公式中，形成联立方程式，并通过所述联立方程式得出所述待测半导体器件的关系参数的步骤中，包括：

所述检测模型分别将所述块模型区中的四个点模型的沟道长参数、沟道宽参数和器件特性，代入到所述差值公式中，得到联立方程式：

根据所述联立方程式解出半导体器件的关系参数VTO、半导体器件中沟道长参数对应的关系参数LVTO、半导体器件中沟道宽参数对应的关系参数WVTO、以及半导体器件中器件特性对应的关系参数PVTO；

其中，L1、W1和P1分别为所述块模型区中第一个点模型对应的沟道长参数、沟道宽参数和器件特性；L1、W2和P2分别为所述块模型区中第二个点模型对应的沟道长参数、沟道宽参数和器件特性；L2、W2和P3分别为所述块模型区中第三个点模型对应的沟道长参数、沟道宽参数和器件特性；L2、W1和P4分别为所述块模型区中第四个点模型对应的沟道长参数、沟道宽参数和器件特性。

4.如权利要求3所述的半导体器件的性能检测方法，其特征在于，所述检测模型将所述待测半导体器件的关系参数和沟道尺寸代入到差值公式中，得到所述待测半导体器件的器件特性，并输出所述器件特性作为检测结果的步骤中，包括：

通过所述联立方程式解出VTO、LVTO、WVTO和PVTO；以及

将VTO、LVTO、WVTO、PVTO，以及所述待测半导体器件的沟道宽参数和沟道长参数，代入到所述差值公式中，得到所述待测半导体器件的器件特性P，所述检测模型将所述器件特性P作为检测结果输出。

5.如权利要求1所述的半导体器件的性能检测方法，其特征在于，所述器件特性包括：半导体器件中栅极和漏极之间的电压差值，与漏极和源极之间电流的关系曲线。

6.一种半导体器件的检测模型的建立方法，所述检测模型用于如权利要求1-5任意一项所述半导体器件的性能检测方法中，对待测半导体进行检测，其特征在于，所述检测模型的建立方法包括步骤：

以对应一种沟道宽参数和沟道长参数的半导体器件的器件特性作为一个点模型，依次测量多组不同沟道参数的半导体器件的器件特性，得到多个点模型；以及

建立含有沟道宽参数和沟道长参数的直角坐标系，将上述多个点模型代入到所述直角坐标系中形成检测模型。