[发明专利]半导体器件的性能检测方法和检测模型的建立方法在审

专利信息
申请号: 202110464726.0 申请日: 2021-04-28
公开(公告)号: CN113311304A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 丁洁;卓恩宗 申请(专利权)人: 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛
地址: 239200 安徽省滁*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 性能 检测 方法 模型 建立
【说明书】:

本申请公开了半导体器件的性能检测方法和检测模型的建立方法,半导体器件的性能检测方法包括步骤:将待测半导体器件的沟道尺寸输入到检测模型中;所述检测模型根据所述待测半导体器件的沟道尺寸,将所述待测半导体器件对应到由多个点模型构成的块模型区中;所述检测模型将所述块模型区中多个点模型的沟道尺寸和器件特性输入到差值公式中,形成联立方程式,并通过所述联立方程式得出所述待测半导体器件的关系参数;所述检测模型将所述待测半导体器件的关系参数和沟道尺寸代入到差值公式中,得到所述待测半导体器件的器件特性,并输出所述器件特性作为检测结果。通过上述检测方法可以准确地检测出半导体器件的器件特性,且节省了时间和成本。

技术领域

本申请涉显示技术领域,尤其涉及半导体器件的性能检测方法和检测模型的建立方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。GOA(Gate Driver on Array)技术即阵列基板行驱动技术,是利用薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)液晶显示器阵列制程将栅极扫描驱动电路制作在薄膜晶体管阵列基板上,以实现逐行扫描的驱动方式,具有降低生产成本和实现面板窄边框设计的优点,为多种显示器所使用。GOA电路具有两项基本功能:第一是输出栅极扫描驱动信号,驱动面板内的栅极线,打开显示区内的TFT,以对像素进行充电;第二是移位寄存功能,当一个栅极扫描驱动信号输出完成后,通过时钟控制进行下一个栅极扫描驱动信号的输出,并依次传递下去。GOA技术能减少外接IC的焊接(bonding)工序,有机会提升产能并降低产品成本,而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框的显示产品。

然而,在GOA驱动电路中,存在多种不同沟道尺寸的TFT,TFT的沟道尺寸从几微米到几万微米,沟道尺寸过大的TFT在测量过程中会易烧坏,因此针对不同沟道尺寸的TFT性能预测对GOA电路设计至关重要。

发明内容

本申请的目的是提供半导体器件的性能检测方法和检测模型的建立方法,能够预测TFT的性能,防止TFT在测量过程烧坏。

本申请公开了一种半导体器件的性能检测方法,包括步骤:

将待测半导体器件的沟道尺寸输入到检测模型中;

所述检测模型根据所述待测半导体器件的沟道尺寸,将所述待测半导体器件对应到由多个点模型构成的块模型区中;

所述检测模型将所述块模型区中多个点模型的沟道尺寸和器件特性输入到差值公式中,形成联立方程式,并通过所述联立方程式得出所述待测半导体器件的关系参数;以及

所述检测模型将所述待测半导体器件的关系参数和沟道尺寸代入到差值公式中,得到所述待测半导体器件的器件特性,并输出所述器件特性作为检测结果。

可选的,所述差值公式为其中,L为半导体器件的沟道长参数,W为半导体器件的沟道宽参数,VTO为半导体器件的关系参数,LVTO为半导体器件中沟道长参数对应的关系参数,WVTO为半导体器件中沟道宽参数对应的关系参数,PVTO为半导体器件中器件特性对应的关系参数,P(L,W)为半导体器件的器件特性。

可选的,所述块模型区由四个点模型构成,且四个点模型围成矩形,所述检测模型将所述块模型区中多个点模型的沟道尺寸和器件特性输入到差值公式中,形成联立方程式,并通过所述联立方程式得出所述待测半导体器件的关系参数的步骤中,包括:

所述检测模型分别将所述块模型区中的四个点模型的沟道长参数、沟道宽参数和器件特性,代入到所述差值公式中,得到联立方程式:

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