[发明专利]一种电子束光刻辅助工艺制造方法

权利要求书

1.一种电子束光刻辅助工艺制造方法，其特征在于包括以下步骤：

1)于半导体基底上形成光阻叠层，所述光阻叠层包括依次形成的第一光阻层和第二光阻层；

2)对光阻叠层进行电子束曝光和显影，得到T型图形和位于T型图形两侧的辅助图形，其中T型图形的曝光深度为第一光阻层和第二光阻层的厚度，辅助图形的曝光深度为第二光阻层的厚度；

3)沉积金属，所述金属于T型图形内形成与半导体基底接触的T型栅金属，于辅助图形内形成位于第一光阻层上的辅助金属；

4)去除光阻叠层，余下T型栅金属。

2.根据权利要求1所述的电子束光刻辅助工艺制造方法，其特征在于：形成所述T型图形时，计算所述第一光阻层的曝光剂量为第一曝光剂量，计算所述第二光阻层的曝光剂量为第二曝光剂量，采用第一曝光剂量和第二曝光剂量对所述光阻叠层进行曝光，显影后于第一光阻层得到栅根的线宽的窗口，于第二光阻层得到栅帽的线宽的窗口，且栅帽的线宽大于栅根的线宽。

3.根据权利要求2所述的电子束光刻辅助工艺制造方法，其特征在于：所述辅助图形的线宽是所述栅帽的线宽的0.5～2倍。

4.根据权利要求3所述的电子束光刻辅助工艺制造方法，其特征在于：所述辅助图形采用所述第二曝光剂量进行曝光，所述辅助图形的线宽等于所述栅帽的线宽。

5.根据权利要求1所述的电子束光刻辅助工艺制造方法，其特征在于：所述光阻叠层具有由若干间隔排布的T型图形形成的图形区域，所述辅助图形位于所述图形区域的两外侧。

6.根据权利要求5所述的电子束光刻辅助工艺制造方法，其特征在于：所述辅助图形与排布于最外侧的所述T型图形之间的距离是所述T型图形之间间距的0.5～2倍。

7.根据权利要求1所述的电子束光刻辅助工艺制造方法，其特征在于：步骤3)中，采用蒸镀工艺沉积所述金属，所述金属为Pt/Ti/Pt/Au/Ti叠层、Ti/Pt/Au/Ti叠层、Ti/Al/Ti叠层或者Ni/Pt/Au/Ti叠层，厚度范围为300～600nm。

8.根据权利要求1所述的电子束光刻辅助工艺制造方法，其特征在于：步骤4)中，采用UV膜贴附于步骤3)形成的结构表面进行金属撕金，然后剥离光阻。

9.根据权利要求1所述的电子束光刻辅助工艺制造方法，其特征在于：步骤2)和3)之间，还包括对T型图形之内的半导体基底表面进行清洗、蚀刻的步骤。