[发明专利]一种电子束光刻辅助工艺制造方法

说明书

本发明公开了一种电子束光刻辅助工艺制造方法，其是在半导体基底上形成第一光阻层和第二光阻层的叠层，对光阻叠层进行电子束曝光和显影，得到T型图形和位于T型图形两侧的辅助图形，其中T型图形的曝光深度为第一光阻层和第二光阻层的厚度，辅助图形的曝光深度为第二光阻层的厚度，然后沉积金属并剥离光阻，得到T型栅金属。本发明通过辅助图形的设置，减少了金属沉积过程中T型图形周围的光阻的形变量，降低了光阻形变导致的对T型栅形貌的影响，提升了T型栅金属形貌的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电子束光刻辅助工艺制造方法。

背景技术

半导体器件的T型栅在制作过程中，通常采用两层光阻来达成不同的光刻面积，得到T型栅的图形，然后沉积金属于图形内形成T型的栅金属结构，再剥离光阻。然而，在沉积金属的过程中，由于应力作用，光阻发生形变而使得T型栅图形形貌发生变化，这将导致最终沉积的金属形貌非常不稳定，并且在剥离后容易出现倒塌的问题，影响了最终器件的性能以及生产良率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种电子束光刻辅助工艺制造方法。

为了实现以上目的，本发明的技术方案为：

本发明的一种电子束光刻辅助工艺制造方法，包括以下步骤：

1)于半导体基底上形成光阻叠层，所述光阻叠层包括依次形成的第一光阻层和第二光阻层；

2)对光阻叠层进行电子束曝光和显影，得到T型图形和位于T型图形两侧的辅助图形，其中T型图形的曝光深度为第一光阻层和第二光阻层的厚度，辅助图形的曝光深度为第二光阻层的厚度；

3)沉积金属，所述金属于T型图形内形成与半导体基底接触的T型栅金属，于辅助图形内形成不与半导体基底接触的辅助金属；

4)去除光阻叠层，余下T型栅金属。

可选的，形成所述T型图形时，计算所述第一光阻层的曝光剂量为第一曝光剂量，计算所述第二光阻层的曝光剂量为第二曝光剂量，采用第一曝光剂量和第二曝光剂量对所述光阻叠层进行曝光，显影后于第一光阻层得到栅根的线宽的窗口，于第二光阻层得到栅帽的线宽的窗口，且栅帽的线宽大于栅根的线宽。

可选的，所述辅助图形的线宽是所述栅帽的线宽的0.5～2倍。

可选的，所述辅助图形采用所述第二曝光剂量进行曝光，所述辅助图形的最优线宽等于所述栅帽的线宽。

可选的，所述光阻叠层具有由若干间隔排布的T型图形形成的图形区域，所述辅助图形位于所述图形区域的两外侧。

可选的，所述辅助图形与排布于最外侧的所述T型图形之间的距离是所述T型图形之间间距的0.5～2倍。

可选的，步骤3)中，采用蒸镀工艺沉积所述金属，所述金属为Pt/Ti/Pt/Au/Ti叠层、Ti/Pt/Au/Ti叠层、Ti/Al/Ti叠层或者Ni/Pt/Au/Ti叠层，厚度范围为300～600nm。

可选的，步骤4)中，采用UV膜贴附于步骤3)形成的结构表面进行金属撕金，然后剥离光阻。

可选的，步骤2)和3)之间，还包括对T型图形之内的半导体基底表面进行蚀刻的步骤。

本发明的有益效果为：

通过在光阻叠层的T型图形两侧设置辅助图形，在沉积金属时，金属同时沉积于辅助图形之内，从而减少了金属沉积过程中T型图形周围的光阻的形变量，降低了光阻形变导致的对T型栅形貌的影响，提升了T型栅金属形貌的稳定性，有效避免了光阻剥离后T型栅倒塌等问题，提高了制程良率和器件的性能稳定性。

附图说明

图1为实施例的电子束光刻辅助工艺制造方法的工艺流程图；