[发明专利]残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件

权利要求书

1.一种残留多晶硅监测结构，其特征在于，包括：具有有源区和浅沟道隔离结构的衬底、形成在所述衬底上多晶硅条、条形金属条、侧墙和介质层，

其中，所述有源区包括至少一个第一有源区和至少一个第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区相互垂直交叉，所述浅沟道隔离结构与所述第一有源区和所述第二有源区交替排布；

所述条形金属条位于所述第二有源区上且横跨所述第一有源区，所述多晶硅条与所述条形金属条间隔平行设置，并横跨所述第一有源区和与所述第一有源区交替排布的所述浅沟道隔离结构，所述侧墙形成在所述多晶硅条侧边，并位于所述多晶硅条和所述条形金属条之间，所述介质层形成在所述衬底上，并至少位于所述有源区和所述多晶硅条之间；以及，

所述金属条和所述多晶硅条用于被施加电压，以根据所述金属条和所述多晶硅条之间的电流大小，判断刻蚀形成所述多晶硅条后，位于所述多晶硅条侧边的所述侧墙内是否存在残留多晶硅。

2.如权利要求1所述的残留多晶硅监测结构，其特征在于，每个所述条形金属条横跨所有所述第一有源区。

3.如权利要求1所述的残留多晶硅监测结构，其特征在于，所述多晶硅条至少为两个，至少两个所述多晶硅条分别与所述第二有源区间隔平行设置，相邻两个所述多晶硅条之间设置一个所述条形金属条，且所述条形金属条设置在相邻两个所述多晶硅条的正中间；或者，相邻两个所述多晶硅条之间设置两个所述条形金属条，两个所述条形金属条将相邻两个所述多晶硅条之间的距离三等分。

4.如权利要求1所述的残留多晶硅监测结构，其特征在于，所述条形金属条的宽度为0.15um～0.2um，以及，所述条形金属条与所述多晶硅条之间的距离为0.05um～0.1um。

5.一种残留多晶硅监测结构版图，其特征在于，所述残留多晶硅监测结构版图用于制备如权利要求1～4任意一项所述的残留多晶硅监测结构，所述残留多晶硅监测结构版图包括叠加的有源区版图、浅沟道隔离结构版图、多晶硅版图、金属条版图、侧墙版图以及介质层版图；其中，

所述有源区版图包括至少一个第一有源区图形和至少一个第二有源区图形，所述第一有源区图形和所述第二有源区图形相互垂直交叉；

所述浅沟道隔离结构版图包括浅沟道隔离结构图形，所述浅沟道隔离图形与所述第一有源区图形和所述第二有源区图形交替排布；

所述条形金属条版图包括条形金属条图形，所述条形金属条图形位于所述第二有源区图形上且横跨所述第一有源区图形；

所述多晶硅条版图包括多晶硅条图形，所述多晶硅条图形与所述条形金属条图形间隔平行设置，并横跨所述第一有源区图形和与所述第一有源区图形交替排布的所述浅沟道隔离结构图形；

所述侧墙版图包括侧墙图形，所述侧墙图形位于所述多晶硅条图形侧边，并位于所述多晶硅条图形和所述条形金属条图形之间；以及，

所述介质层版图包括介质层图形，所述介质层图形至少位于所述有源区图形和所述多晶硅条图形之间。

6.如权利要求5所述的残留多晶硅监测结构版图，其特征在于，每个所述条形金属条图形横跨所有所述第一有源区图形。

7.如权利要求5所述的残留多晶硅监测结构版图，其特征在于，所述多晶硅条图形至少为两个，至少两个所述多晶硅条图形分别与所述第二有源区图形间隔平行设置，相邻两个所述多晶硅条图形之间设置一个所述条形金属条图形，且所述条形金属条图形设置在相邻两个所述多晶硅条图形的正中间；或者，

相邻两个所述多晶硅条图形之间设置两个所述条形金属条图形，两个所述条形金属条图形将相邻两个所述多晶硅条图形之间的距离三等分。

8.如权利要求5所述的残留多晶硅监测结构版图，其特征在于，所述条形金属条图形的宽度为0.15um～0.2um，以及，所述条形金属条图形与所述多晶硅条图形之间的距离为0.05um～0.1um。