[发明专利]残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件

说明书

本发明提供一种残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件，其将位于第二有源区上的金属条设置成条形，并使条形金属条横跨第一有源区。如此能够大大缩短金属条的边缘和残留多晶硅之间的距离。则在给条形金属条和多晶硅条施加电压时，金属条和多晶硅之间的侧墙更容易被击穿，二者间的电流更容易被检测到。以提高位于多晶硅条侧边的侧墙内的残留多晶硅的检出率，进而提升残留多晶硅监测结构的监测效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种残留多晶硅监测结构、版图、方法及半导体器件。

背景技术

随着人们生活水平的提高，电子产品的应用越来越广泛，而电子产品中通常会用到各种半导体产品。随着科技的发展及人们需求的增加，人们对半导体产品的性能要求也越来越高。

例如，针对具有存储单元的闪存存储器而言，而闪存存储器失效导致闪存存储器的性能大大降低，而闪存存储器早期失效的一个原因是由于浅沟道隔离结构与衬底上的有源区之间存在高度差，而带着在刻蚀形成字线时导致多晶硅存在残留，进而在字线加高压时造成字线与有源区短路，从而使闪存存储器失效。因此，对残留多晶硅的监测是闪存存储器制备过程中重要的监测项目。而现有残留多晶硅监测结构在监测残留多晶硅时，通常监测效果不佳。

发明内容

本发明的目的在于提供残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件，以解决现有残留多晶硅监测结构在监测残留多晶硅时，监测效果不佳的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种残留多晶硅监测结构，包括：具有有源区和浅沟道隔离结构的衬底、形成在所述衬底上多晶硅条、条形金属条、侧墙和介质层，

其中，所述有源区包括至少一个第一有源区和至少一个第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区相互垂直交叉，所述浅沟道隔离结构与所述第一有源区和所述第二有源区交替排布；

所述条形金属条位于所述第二有源区上且横跨所述第一有源区，所述多晶硅条与所述条形金属条间隔平行设置，并横跨所述第一有源区和与所述第一有源区交替排布的所述浅沟道隔离结构，所述侧墙形成在所述多晶硅条侧边，并位于所述多晶硅条和所述条形金属条之间，所述介质层形成在所述衬底上，并至少位于所述有源区和所述多晶硅条之间；以及，

所述金属条和所述多晶硅条用于被施加电压，以根据所述金属条和所述多晶硅条之间的电流大小，判断刻蚀形成所述多晶硅条后，位于所述多晶硅条侧边的所述侧墙内是否存在残留多晶硅。

可选的，每个所述条形金属条横跨所有所述第一有源区。

可选的，所述多晶硅条至少为两个，至少两个所述多晶硅条分别与所述第二有源区间隔平行设置，相邻两个所述多晶硅条之间设置一个所述条形金属条，且所述条形金属条设置在相邻两个所述多晶硅条的正中间；或者，相邻两个所述多晶硅条之间设置两个所述条形金属条，两个所述条形金属条将相邻两个所述多晶硅条之间的距离三等分。

可选的，所述条形金属条的宽度为0.15um～0.2um，以及，所述条形金属条与所述多晶硅条之间的距离为0.05um～0.1um。

为解决上述问题，本发明还提供一种残留多晶硅监测结构版图，所述残留多晶硅监测结构版图用于制备如上述任意一项所述的残留多晶硅监测结构，所述残留多晶硅监测结构版图包括叠加的有源区版图、浅沟道隔离结构版图、多晶硅版图、金属条版图、侧墙版图以及介质层版图；其中，

所述有源区版图包括至少一个第一有源区图形和至少一个第二有源区图形，所述第一有源区图形和所述第二有源区图形相互垂直交叉；

所述浅沟道隔离结构版图包括浅沟道隔离结构图形，所述浅沟道隔离图形与所述第一有源区图形和所述第二有源区图形交替排布；

所述条形金属条版图包括条形金属条图形，所述条形金属条图形位于所述第二有源区图形上且横跨所述第一有源区图形；