[发明专利]半导体晶圆承载结构及有机金属化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种半导体晶圆承载结构，包括：

承载本体，具有表面；

保护膜层，覆盖所述表面；

承载盘，设置于所述承载本体上；以及

图案化镀膜层，形成于所述承载盘上，其中所述图案化镀膜层具有两种以上不同的厚度。

2.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述图案化镀膜层的图案相对所述承载盘的中心对称分布。

3.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中形成所述图案化镀膜层的材料包括碳化硅、碳化钽、石墨、陶瓷、石英、石墨烯、类钻石膜、或上述的组合。

4.根据权利要求3的半导体晶圆承载结构，其中所述承载盘的材料包括碳化硅、石墨、或上述的组合。

5.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述图案化镀膜层的剖面形状包括矩形、梯形、弧形、三角形、或上述的组合。

6.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述图案化镀膜层定义有基准面，且所述图案化镀膜层更包括：高于所述基准面的凸出部、低于所述基准面的凹陷部、或上述的组合。

7.根据权利要求6的半导体晶圆承载结构，其中所述凸出部相对所述基准面凸出1微米至100微米的厚度。

8.根据权利要求6的半导体晶圆承载结构，其中所述凸出部包括第一凸出部以及环绕所述第一凸出部的第二凸出部。

9.根据权利要求8的半导体晶圆承载结构，其中所述第一凸出部覆盖所述承载盘的中心。

10.根据权利要求9的半导体晶圆承载结构，其中所述第二凸出部环状设置于所述承载盘。

11.根据权利要求10的半导体晶圆承载结构，其中所述第二凸出部间断分布于所述承载盘上。

12.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述图案化镀膜层包括：

第一镀膜层，位于所述承载盘上；以及

第二镀膜层，材质与所述第一镀膜层相异，所述第二镀膜层图案化地分布于所述承载盘上，且至少一部分的所述第二镀膜层堆栈于所述第一镀膜层上。

13.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述图案化镀膜层为单一材质且具有厚度变化的膜层。

14.根据权利要求13的半导体晶圆承载结构，其中所述图案化镀膜层的厚度呈阶梯状变化。

15.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述承载盘具有多个支撑部，所述多个支撑部位于所述承载盘的边缘，且所述多个支撑部的顶部在所述承载盘的厚度方向上高于所述图案化镀膜层的顶部。

16.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中位于所述承载盘的中心的所述图案化镀膜层的直径对所述承载盘的直径的比例范围大于0且小于1/3。

17.根据权利要求1的半导体晶圆承载结构，其中所述承载盘的一周侧表面上形成钝化层，且所述钝化层的材质与所述图案化镀膜层相异。

18.一种有机金属化学气相沉积装置，包括：

腔室；

如权利要求1的半导体晶圆承载结构，容置于所述腔室中；

支撑件，用以支撑所述承载结构；以及

加热器，设置于所述半导体晶圆承载结构下方，用以加热所述承载结构。