[发明专利]半导体晶圆承载结构及有机金属化学气相沉积装置

说明书

本发明提供一种半导体晶圆承载结构及有机金属化学气相沉积装置。所述半导体晶圆承载结构，包括：承载本体，其具有表面；保护膜层，覆盖此表面；承载盘，设置于承载本体上；以及图案化镀膜层，形成于承载盘上，其中图案化镀膜层具有两种以上不同的厚度。

技术领域

本发明涉及一种半导体制程设备，尤其涉及一种包括图案化镀膜层的半导体晶圆承载结构及有机金属化学气相沉积装置。

背景技术

近年来，发光二极管(Light-emitting diode；LED)的应用领域相当多元，例如照明装置、显示器、行动装置等。发光二极管具有反应速度快、高亮度、体积小、消耗功率低、色彩饱和度高等优点。而为了满足各种使用需求下的性能规格，不同样式或材料组成的发光二极管组件不断挑战相关产业的设计与量产能力。举例来说，应用于显示器的微型发光二极管(micro LED)，其磊晶层的物理及化学特性需要达到高度的均匀性，才能使装置的发光波长均匀，并满足所需的显示质量要求。

在形成微型发光二极管组件的磊晶层的制造过程中，有机金属化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD)为较常使用的技术之一。而为了满足磊晶层波长均匀性的要求，制造装置的承载结构的温场分布也是需要考虑的一大问题，若承载结构的温场分布不均匀，会导致后续形成的微型发光二极管组件的发光波长分布不均的问题，并造成组件良率下降、产出成本上升。

尽管现阶段的主流作法为通过机械加工调整承载结构内的承载盘的表面深度以改变承载结构的温场分布，但机械加工有其一定的限制，使用机械加工较难针对细微的温度变化去做修正，故目前的作法仍有所不足。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体晶圆承载结构，包括：承载本体，其具有表面；保护膜层，覆盖此表面；承载盘，设置于承载本体上；以及图案化镀膜层，形成于承载盘上，其中图案化镀膜层具有两种以上不同的厚度。

本发明实施例提供一种有机金属化学气相沉积装置，包括：腔室；如前述的半导体晶圆承载结构，容置于腔室中；支撑件，用以支撑承载结构；以及加热器，设置于半导体晶圆承载结构下方，用以加热承载结构。

通过实施本发明，可改善机械加工较难针对承载结构的温场分布进行细微修正的问题，并使后续制造的发光二极管芯片具有一致的发光波长。

附图说明

由以下的详细叙述配合所附附图，可最好地理解本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用于说明。事实上，可任意地放大或缩小各种组件的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1是根据本发明实施例，示出半导体制程设备的承载结构的立体示意图。

图2是根据本发明实施例，示出于图1中沿A-A剖线的承载结构的剖面示意图。

图3A是根据本发明实施例，示出形成具有图案化镀膜层的承载盘的俯视示意图。

图3B是根据本发明实施例，示出于图3A中沿3B-3B剖线的承载盘的剖面示意图。

图4A、图4B、图4C是根据本发明实施例，示出于图3A中沿3B-3B剖线的承载盘的剖面示意图。

图5A是根据本发明实施例，示出形成具有图案化镀膜层的承载盘的俯视示意图。

图5B是根据本发明实施例，示出于图5A中沿5B-5B剖线的承载盘的剖面示意图。

图6A是根据本发明实施例，示出使用不具有图案化镀膜层的承载盘所制造的微型发光二极管的发光波长分布图。

图6B是根据本发明实施例，示出使用具有图案化镀膜层的承载盘所制造的微型发光二极管的发光波长分布图。