[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底定义有用于形成场效应晶体管的第一区域和用于形成齐纳二极管的第二区域；

在所述第一区域的所述半导体衬底中形成第一阱区，并在所述第二区域的所述半导体衬底中形成第二阱区，所述第一阱区与所述第二阱区的导电类型相同；

在所述第一阱区中形成第一导电类型的第一掺杂区，并在所述第二阱区中形成第一导电类型的第二掺杂区；以及，

在所述第一阱区中形成第二导电类型的第三掺杂区，并在所述第二阱区中形成所述第二导电类型的第四掺杂区，所述第四掺杂区和所述第二掺杂区横向排列，以使所述第二掺杂区和所述第四掺杂区组成齐纳二极管的PN结，其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型的导电类型相反。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一阱区和所述第二阱区的形成方法包括：

在所述半导体衬底上形成图形化的第一光刻胶层，所述图形化的第一光刻胶层具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述第一区域的部分所述半导体衬底，所述第二开口暴露出所述第二区域的部分所述半导体衬底；

以所述图形化的第一光刻胶层为掩膜执行第一离子注入工艺，以在所述第一区域的所述半导体衬底中形成所述第一阱区，以及在所述第二区域的所述半导体中形成所述第二阱区；以及，

去除所述图形化的第一光刻胶层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的离子为P型，其中，所述第一离子注入工艺的掺杂浓度为2E12/cm²～4E13/cm²，以及能量为100kev～1500kev。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的离子为N型，其中，所述第一离子注入工艺的掺杂浓度为2E13/cm²～4E15/cm²，以及能量为5kev～30kev。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的形成方法包括：

在所述半导体衬底上形成图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层具有第三开口和第四开口，所述第三开口暴露出部分所述第一阱区，所述第四开口暴露出部分所述第二阱区；

以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜执行第二离子注入工艺，以在所述第一阱区中形成第一掺杂区，以及在所述第二阱区中形成第二掺杂区，所述第二掺杂区和所述第一掺杂区中均具有第一导电类型的掺杂离子；

去除所述图形化的第二光刻胶层。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二离子注入工艺的掺杂浓度为9E13/cm²～9E14/cm²，以及注入能量为20keV～45keV。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三掺杂区和所述第四掺杂区的形成方法包括：

在所述半导体衬底上形成图形化的第三光刻胶层，所述图形化的第三光刻胶层具有第五开口和第六开口，所述第五开口暴露出部分所述第一阱区，所述第六开口暴露出部分所述第二阱区；

以所述图形化的第三光刻胶层为掩膜执行第三离子注入工艺，以在所述第一阱区中形成第三掺杂区，以及在所述第二阱区中形成所述第四掺杂区，所述第四掺杂区和所述第三掺杂区中均具有第二导电类型的掺杂离子；以及，

去除所述图形化的第三光刻胶层。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三离子注入工艺的掺杂浓度为9E14/cm²～1E16/cm²，以及注入能量为20keV～45keV。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三掺杂区与所述第四掺杂区的间距为0.1μm～0.3μm。