[发明专利]分栅式快闪存储器的制造方法

权利要求书

1.一种分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包括存储区和外围区，所述存储区上形成有至少两个存储单元的前端结构，每个所述前端结构覆盖部分所述存储区；

在所述衬底上依次形成字线材料层、介质层和逻辑栅材料层，所述字线材料层形成于所述前端结构的顶面和侧面，并延伸至所述存储区的表面，所述介质层覆盖所述字线材料层并延伸覆盖所述外围区，所述逻辑栅材料层覆盖所述介质层；

刻蚀所述外围区上的所述逻辑栅材料层，以形成逻辑栅层，所述逻辑栅层覆盖所述外围区上的部分所述介质层；

利用各向同性刻蚀去除所述存储区上的所述逻辑栅材料层，以暴露出所述存储区上的所述介质层；

去除所述存储区上的部分所述介质层，以暴露出所述存储区表面和所述前端结构顶面的所述字线材料层；

以剩余的所述介质层为掩膜刻蚀暴露出的所述字线材料层，以形成字线，所述字线的顶面与所述前端结构的顶面平齐。

2.如权利要求1所述的分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述逻辑栅层的形成方法包括：

在所述逻辑栅材料层上形成图形化的第一光刻胶层，所述图形化的第一光刻胶层中具有开口，所述开口暴露出所述外围区的部分所述逻辑栅材料层；

以所述图形化的第一光刻胶层为掩膜刻蚀暴露出的所述逻辑栅材料层，以形成所述逻辑栅层；以及，

利用灰化工艺和/或湿法清洗工艺去除所述图形化的第一光刻胶层。

3.如权利要求1所述的分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，利用各向同性刻蚀去除所述存储区上的所述逻辑栅材料层的方法包括：

形成图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层覆盖所述逻辑栅层，并暴露出所述存储区上的所述逻辑栅材料层；

以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜，对所述存储区上的所述逻辑栅材料层进行各向同性刻蚀，并刻蚀停止在所述字线材料层表面，以去除所述存储区上的所述逻辑栅材料层。

4.如权利要求3所述的分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀采用的刻蚀气体包括氯气和和溴化氢。

5.如权利要求1所述的分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，去除所述存储区上的部分所述介质层的方法包括：

利用各向异性刻蚀去除所述前端结构顶面的所述介质层，以暴露出所述前端结构顶面的所述字线材料层，并去除所述存储区表面的所述介质层，以暴露出所述存储区表面的所述字线材料层。

6.如权利要求5所述的分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述字线的形成方法包括：

利用干法刻蚀工艺刻蚀所述字线材料层，以去除所述前端结构顶面和所述存储区表面的所述字线材料层，并保留所述前端结构侧面的所述字线材料层以形成所述字线。

7.如权利要求1所述的分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述字线材料层之前，还在所述存储区上形成遂穿氧化层，所述遂穿氧化覆盖所述前端结构的侧面并延伸覆盖所述存储区的表面；

以及，在形成所述字线材料层之后，所述字线材料层覆盖所述遂穿氧化层；

以及，在刻蚀暴露出的所述字线材料层之后，还刻蚀所述遂穿氧化层，以去除所述存储区表面的所述遂穿氧化层。

8.如权利要求7所述的分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述字线形成于所述遂穿氧化层远离所述前端结构的一侧。

9.如权利要求1所述的分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，每一所述前端结构包括形成于所述存储区上的浮栅层、隔离层、第一侧墙和源线；其中，所述浮栅层覆盖部分所述存储区；所述第一侧墙位于所述浮栅层上；所述隔离层位于所述浮栅层与所述第一侧墙之间；所述源线依次贯穿所述第一侧墙、所述隔离层和所述浮栅层。

10.如权利要求9所述的分栅式快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述前端结构还包括第二侧墙，所述第二侧墙形成于所述源线与所述第一侧墙之间，并延伸至所述源线与所述浮栅层之间。