[发明专利]一种ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法

说明书

本发明公开了一种ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法，包括以下步骤：(1)将ITO残靶经过预处理，得预处理后的ITO残靶；(2)将所述预处理后的ITO残靶破碎，过筛，得破碎好的ITO粉末；(3)将所述破碎好的ITO粉末装入模具中，然后置于热压炉内，在50～100MPa下进行预压；(4)预压结束后，热压炉内抽真空到＜10Pa后，升温至600～1200℃，并保温50～80min，在保温的同时升压至100～200MPa保持30～50min，冷却，即得所述ITO蒸发料。本发明所述方法通过调节制备工艺中热压的条件，可以制备不同密度的ITO蒸发料，节约了回收费用，充分利用了In材料。

技术领域

本发明涉及资源回收技术领域，具体涉及一种ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法。

背景技术

目前用于液晶显示行业的ITO，一般为靶材，有平面靶和旋转靶，一般平面靶材的利用率为15-30％，旋转靶的利用率为60-80％，由于ITO靶材含有稀散金属In，因此溅射后的靶材，通常是重新回收，但是这样不仅造成了资源的浪费，同时在回收过程中也会对环境造成一定的污染。

真空蒸镀，简称蒸镀，是指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料(或称膜料)并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法，ITO蒸镀料作为真空蒸镀ITO薄膜的原材料，同时也被广泛应用，不同的蒸镀工艺对ITO的密度要求各不相同。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法，包括以下步骤：

(1)将ITO残靶经过预处理，得预处理后的ITO残靶；

(2)将所述预处理后的ITO残靶破碎，过筛，得破碎好的ITO粉末；

(3)将所述破碎好的ITO粉末装入模具中，然后置于热压炉内，在50～100MPa下进行预压；

(4)预压结束后，热压炉内抽真空到＜10Pa后，升温至600～1200℃，并保温50～80min，在保温的同时升压至100～200MPa，在100～200MPa下保持30～50min，冷却，即得所述ITO蒸发料。

步骤(3)中的预压操作可防止抽真空喷粉；通过控制步骤(4)中的温度、压强和时间可以控制所得ITO蒸发料的密度在55－99.8％范围内。

作为本发明所述ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法的优选实施方式，步骤(1)中，所述预处理为：对ITO残靶的表面进行打磨抛光并清洗。

作为本发明所述ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法的优选实施方式，步骤(2)中，所述过筛为过325目筛。

作为本发明所述ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法的优选实施方式，步骤(4)中，所述升温的速率为5～10℃/min。

作为本发明所述ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法的优选实施方式，步骤(4)中，所述冷却为随炉冷却。

作为本发明所述ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法的优选实施方式，步骤(4)中，所述冷却后还包括：将经过CNC加工、破碎或切割至所需尺寸。

作为本发明所述ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法的优选实施方式，所述升压的时间为≤20min。

本发明的有益效果在于：本发明提供了一种ITO残靶回收料制备ITO蒸发料的方法，本方法通过ITO残靶回收粉制备ITO蒸发料，通过调节制备工艺中热压的条件，可以制备不同密度的ITO蒸发料，同时节约了回收的费用，残靶回收充分利用了In材料，避免了环境污染。

具体实施方式