[发明专利]晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法

说明书

本发明提供了一种晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法，浸没式光刻机包括移送装置、晶圆工作台、多个E‑pin升降机构和晶圆背面清洁装置，其中，晶圆背面清洁装置包括气体喷射器，并配置有多个朝向晶圆背面的喷气通道，用于向晶圆背面喷射气体。本发明通过在浸没式光刻机增设晶圆背面清洁装置实现对晶圆背面进行清洁，降低曝光失焦率，另外，可避免晶圆背面上的颗粒粘在E‑pin升降机构与晶圆背面接触端，进一步降低与E‑pin升降机构接触区域内的晶圆背面的曝光失焦率，提升产品一次良率，且可减少对昂贵的晶圆工作台的污染，从而降低对晶圆工作台的清洁频率，避免对晶圆工作台造成损坏，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法。

背景技术

半导体芯片制造中，使用光刻机进行曝光来定义电路图形。当晶圆背面有颗粒污染的时候，在曝光的过程中，会产生局部区域失焦，使得图形定义不完整造成缺陷。

另外，光刻机中E-pin升降机构在吸附晶圆上下往复运动时，晶圆背面的颗粒会粘在E-pin升降机构与晶圆背面接触端，随着E-pin升降机构的跑货量，其与晶圆背面接触端的脏污高度也会随之累积增加，导致与E-pin升降机构接触区域内的晶圆背面的平整度也越来越差，最终导致此区域失焦。

现有技术中，为了避免产生局部区域失焦，需要定期进行清洁，但是频繁清洁会影响产能和晶圆工作台的使用寿命，还会影响产品一次良率，增加生产成本，且目前只能通过相关人员手动清洁，易对昂贵的晶圆工作台造成损坏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆背面清洁装置、浸没式光刻机及晶圆背面清洁方法，以解决现有技术中由于晶圆背面的颗粒污染造成曝光失焦的问题。

具体技术方案如下：

第一方面，本发明提供一种晶圆背面清洁装置，包括气体喷射器，所述气体喷射器配置有朝向晶圆背面的喷气通道，所述喷气通道用于向晶圆背面喷射气体。

可选的，所述喷气通道设置有多个，分散在晶圆工作台上。

可选的，所述喷气通道在所述晶圆工作台上沿周向均匀分布。

可选的，所述晶圆工作台设置在浸没式光刻机中，所述浸没式光刻机中的每个E-pin升降机构为中空结构，形成所述喷气通道。

可选的，所述气体喷射器喷射的气体为空气。

可选的，所述气体喷射器为高速气体喷射器。

第二方面，本发明提供一种浸没式光刻机，包括：

移送装置，用于移送所述晶圆；

晶圆工作台，用于承载晶圆；

多个E-pin升降机构，用于吸附所述晶圆做上下往复运动；

如第一方面所述的晶圆背面清洁装置，用于对晶圆背面进行清洁。

可选的，所述移动装置为机械手。

第三方面，本发明提供一种晶圆背面清洁方法，所述晶圆背面清洁方法包括：

移送装置抓取晶圆，并将所述晶圆移送至晶圆工作台的上方；

晶圆背面清洁装置对晶圆背面进行清理；

E-pin升降机构上升吸附所述晶圆；

所述移送装置松开所述晶圆，所述E-pin升降机构吸附所述晶圆一同下降至晶圆工作台处

可选的，晶圆背面清洁装置对晶圆背面进行清理，具体包括：

晶圆背面清洁装置通过吹气对晶圆背面进行清理。