[发明专利]陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法有效

专利信息
申请号: 202110470136.9 申请日: 2021-04-28
公开(公告)号: CN113593906B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 竹内俊介 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 韩聪
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 电子 部件 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种陶瓷电子部件,具备:

陶瓷坯体,层叠有陶瓷层和内部电极;以及

至少一对外部电极,形成在所述陶瓷坯体的表面,

所述内部电极与所述外部电极电连接,其中,

所述陶瓷坯体具备被引出所述内部电极的一对端面和将所述一对端面相连的四个侧面,

所述外部电极至少包含含有玻璃的高玻璃含有层和玻璃的含有比率比所述高玻璃含有层低的低玻璃含有层,

在观察包含所述一对外部电极且在相对于所述内部电极扩展的平面方向垂直的方向上切断的剖面时、以及在观察包含所述一对外部电极且在相对于所述内部电极扩展的平面方向平行的方向上切断的剖面时的至少一者,

所述外部电极具有形成在所述端面的端面区域和形成在所述侧面的侧面区域,

所述侧面区域具有在将所述陶瓷坯体的所述端面与所述侧面相连的棱线部分与所述端面区域电连接的第1端部和与所述第1端部相反的一侧的第2端部,

所述外部电极的所述端面区域至少在引出所述内部电极的部分,所述高玻璃含有层与所述陶瓷坯体相接地形成,

所述外部电极的所述侧面区域至少在所述第2端部附近,所述低玻璃含有层与所述陶瓷坯体相接地形成,

所述外部电极在所述侧面区域的至少一部分,所述低玻璃含有层露出在表面。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,其中,

在所述外部电极的表面形成有至少一层镀敷层。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件,其中,

所述高玻璃含有层的玻璃含量比所述低玻璃含有层的玻璃含量多10体积%以上。

4.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件,其中,

在所述外部电极中,

所述端面区域通过一层所述高玻璃含有层形成,

所述侧面区域通过一层所述低玻璃含有层形成。

5.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件,其中,

在所述外部电极中,

所述端面区域通过一层所述高玻璃含有层形成,

所述侧面区域的所述第1端部到中途点为止形成为包括由所述高玻璃含有层构成的下侧层和由所述低玻璃含有层构成的上侧层的多层,

所述侧面区域的所述中途点到所述第2端部为止通过一层所述低玻璃含有层形成。

6.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件,其中,

在所述外部电极中,

所述端面区域形成为包括由所述高玻璃含有层构成的下侧层和由所述低玻璃含有层构成的上侧层的多层,

所述侧面区域通过一层所述低玻璃含有层形成。

7.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件,其中,

在所述外部电极中,

所述端面区域形成为包括由所述高玻璃含有层构成的下侧层和由所述低玻璃含有层构成的上侧层的多层,

所述侧面区域的所述第1端部到中途点为止形成为包括由所述高玻璃含有层构成的下侧层和由所述低玻璃含有层构成的上侧层的多层,

所述侧面区域的所述中途点到所述第2端部为止通过一层所述低玻璃含有层形成。

8.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件,其中,

在所述外部电极中,

所述端面区域通过一层所述高玻璃含有层形成,

所述侧面区域的所述第1端部到中途点为止通过一层所述高玻璃含有层形成,

所述侧面区域的所述中途点到所述第2端部为止通过一层所述低玻璃含有层形成。

9.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件,其中,

在所述外部电极中,

所述端面区域通过一层所述高玻璃含有层形成,

所述侧面区域的所述第2端部附近通过一层所述低玻璃含有层形成,

所述侧面区域的剩余的部分通过一层所述高玻璃含有层形成。

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