[发明专利]一种钐钴磁体铸片及其处理方法、钐钴稀土磁体及其制备方法有效

申请号：	202110472241.6	申请日：	2021-04-29
公开（公告）号：	CN113393994B	公开（公告）日：	2023-08-18
发明（设计）人：	吴茂林;傅忠伟;师大伟;王国雄;郑汉杰;欧阳福忠	申请（专利权）人：	福建省长汀卓尔科技股份有限公司;厦门钨业股份有限公司
主分类号：	H01F1/055	分类号：	H01F1/055;H01F41/02
代理公司：	厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234	代理人：	李强;杨泽奇
地址：	366300 福建省龙***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	一种磁体及其处理方法稀土制备
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【权利要求书】：

1.一种钐钴磁体铸片，包括以下元素：Cu、Zr、Sm、Fe、Co，其特征在于；所述钐钴磁体铸片中各元素的原子百分比为c（N），其中N为对应的元素；所述钐钴磁体铸片的任一表面或断面上任意区域内各元素的原子百分比为c'（N）, ∆c(N)是c（N）与c'（N）之差的绝对值；∆c(Cu) ≤5at%，∆c(Zr) ≤3at%，∆c(Sm) ≤6at%，∆c(Fe) ≤7.5at%，∆c(Co) ≤4.5at%；

所述钐钴磁体铸片的厚度为0.3-20mm；

所述钐钴磁体铸片的表达式为：R_xFe_yCo_1-x-y-p-qCu_pM_q；

所述R仅是Sm或者是含有Sm的2种以上的稀土类元素，所述M仅是Zr或者除含有Zr外还自 Ti、Hf中选一种或两种，0.11x0.12，0.15y0.25，0.04p0.075，0.01q0.035，且满足0.055p+q0.11，7.5(1-x)/x7.8，2.5p/q4.0。

2.根据权利要求1所述钐钴磁体铸片，其特征在于，所述区域为30μm *40μm的方形区域、或10μm *10μm的方形区域、或50μm *50μm的方形区域。

3.根据权利要求1所述钐钴磁体铸片，其特征在于：所述钐钴磁体铸片的厚度为2-20mm。

4.根据权利要求1所述钐钴磁体铸片，其特征在于：所述钐钴磁体铸片的平均晶粒尺寸≥5μm。

5.一种根据权利要求1-4任一项所述的钐钴磁体铸片的处理方法，其特征在于：包括对钐钴磁体铸片进行均匀化处理，所述均匀化处理的温度为1100～1190℃，所述均匀化处理的时间满足以下公式：D+2.5≤t≤D+4.5；

其中，t为均匀化处理时间，单位为h；D为钐钴磁体铸片的厚度，单位为mm。

6.根据权利要求5所述钐钴磁体铸片的处理方法，其特征在于：所述均匀化处理的温度为1150～1180℃；D+3.5≤t≤D+4.5。

7.一种采用如权利要求1-4任一项所述钐钴磁体铸片制得的钐钴稀土磁体。

8.一种根据权利要求7所述的钐钴稀土磁体的制造方法，包括以下步骤：配料、铸造、制粉、成型、烧结、固溶和时效，其特征在于：在制粉前对铸造的钐钴磁体铸片进行均匀化处理，所述均匀化处理的温度为1100～1190℃，所述均匀化处理的时间满足以下公式：D+2.5≤t≤D+4.5；

其中，t为均匀化处理时间，单位为h；D为铸片厚度，单位为mm。