[发明专利]电子设备在审
| 申请号： | 202110472326.4 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113571551A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 全景辰;具素英;金亿洙;金亨俊;南润龙;林俊亨 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 黄圣;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子设备 | ||
1.一种电子设备，所述电子设备包括：
第一晶体管，包括第一氧化物半导体图案；
第二晶体管，包括与所述第一晶体管的所述第一氧化物半导体图案分隔开的第二氧化物半导体图案；
阻挡层，设置在所述第二晶体管下方且包括导电材料；
信号线，电连接到所述第一晶体管且包括设置在不同层上的第一线和第二线；
桥接图案，电连接到所述第一晶体管、所述信号线的所述第一线和所述信号线的所述第二线中的每者；
第一绝缘层，设置在所述信号线的所述第一线与所述信号线的所述第二线之间；以及
第二绝缘层，设置在所述第一晶体管与所述桥接图案之间，其中，
所述信号线的所述第一线和所述阻挡层设置在同一层上，并且
所述信号线的所述第二线和所述第一氧化物半导体图案设置在同一层上。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述信号线的所述第二线包括顺序地堆叠的第一层和第二层。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述信号线的所述第二线的所述第一层包括氧化物半导体。
4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述信号线的所述第二线的所述第一层包括锡。
5.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述信号线的所述第二线的所述第二层包括晶体结构。
6.根据权利要求5所述的电子设备，其中，所述信号线的所述第二线的所述第二层包括透明导电氧化物。
7.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述信号线的所述第二线的所述第一层和所述第一氧化物半导体图案包括相同的材料。
8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述桥接图案穿过所述第二绝缘层电接触所述第一氧化物半导体图案。
9.根据权利要求1所述的电子设备，所述电子设备还包括发光元件，所述发光元件包括：
阳极电极，电连接到所述第二晶体管；
阴极电极，设置在所述阳极电极上；以及
发光图案，设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间，
其中，所述桥接图案和所述阳极电极设置在同一层上。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述阳极电极电连接到所述第二氧化物半导体图案和所述阻挡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
