[发明专利]电子设备在审
申请号: | 202110472326.4 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113571551A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 全景辰;具素英;金亿洙;金亨俊;南润龙;林俊亨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 黄圣;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 | ||
公开了一种电子设备。该电子设备包括:第一晶体管,包括第一氧化物半导体图案;第二晶体管,包括第二氧化物半导体图案;阻挡层,包括导电材料;信号线,包括设置在不同层上的第一线和第二线;以及桥接图案,电连接到第一晶体管、信号线的第一线和信号线的第二线中的每者,其中,信号线的第一线和阻挡层设置在同一层上,并且信号线的第二线和第一氧化物半导体图案设置在同一层上。
本申请要求于2020年4月29日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0052765号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
在此的公开涉及一种显示设备以及一种制造其的方法,并且涉及一种包括氧化物半导体的显示设备和一种用于制造该显示设备的方法。
背景技术
电子设备可以包括用于显示图像的显示面板。显示面板可以包括信号线和可以电连接到信号线的像素。像素中的每个可以包括驱动元件和发光元件,并且可以通过经由电连接驱动元件和发光元件的信号线接收电信号来驱动。
将理解的是,该背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景。然而,该背景技术部分也可以包括在在此所公开的主题的对应的有效提交日期之前不是相关领域技术人员已知或理解的内容的一部分的想法、构思或认识。
发明内容
公开提供了一种可以以高速驱动的电子设备以及一种用于以降低的加工成本制造电子设备的方法。
实施例提供了一种电子设备,电子设备可以包括:第一晶体管,包括第一氧化物半导体图案;第二晶体管,包括与第一晶体管的第一氧化物半导体图案分隔开的第二氧化物半导体图案;阻挡层,设置在第二晶体管下方且包括导电材料;信号线,电连接到第一晶体管且包括设置在不同的层上的第一线和第二线;桥接图案,电连接到第一晶体管、信号线的第一线和信号线的第二线中的每者;第一绝缘层,设置在信号线的第一线与信号线的第二线之间;以及第二绝缘层,设置在第一晶体管与桥接图案之间,其中,信号线的第一线和阻挡层可以设置在同一层上,并且信号线的第二线和第一氧化物半导体图案可以设置在同一层上。
在实施例中,信号线的第二线可以包括顺序地堆叠的第一层和第二层。
在实施例中,信号线的第二线的第一层可以包括氧化物半导体。
在实施例中,信号线的第二线的第一层可以包括锡。
在实施例中,信号线的第二线的第二层可以包括晶体结构。
在实施例中,信号线的第二线的第二层可以包括透明导电氧化物。
在实施例中,信号线的第二线的第一层和第一氧化物半导体图案可以包括相同的材料。
在实施例中,桥接图案可以穿过第二绝缘层电接触第一氧化物半导体图案。
在实施例中,电子设备还可以包括发光元件,发光元件包括:阳极电极,电连接到第二晶体管;阴极电极,设置在阳极电极上;以及发光图案,设置在阳极电极与阴极电极之间,其中,桥接图案和阳极电极可以设置在同一层上。
在实施例中,阳极电极可以电连接到第二氧化物半导体图案和阻挡层。
在实施例中,电子设备可以包括:第一晶体管,包括氧化物半导体图案;第一线,在平面图中与第一晶体管分隔开;第二线,在平面图中与第一晶体管分隔开,其中,第一线和第二线可以设置在不同的层上且可以包括不同的材料;阻挡层,与第一晶体管的氧化物半导体图案叠置,阻挡层和第一线设置在同一层上;以及桥接图案,电连接到第一晶体管、第一线和第二线,其中,桥接图案、第一线和第二线可以设置在不同的层上。第二线可以包括:第一层,包括氧化物半导体图案;以及第二层,设置在第一层上且包括导电氧化物。
在实施例中,氧化物半导体图案和第二线可以设置在同一层上。
在实施例中,第一层可以包括锡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的