[发明专利]一种碳化硅单晶的制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1)配置碳源与硅源，置于生长室内，固定籽晶后密封生长室，抽真空；

2)将生长室升温至第一预设温度，保温，持续抽真空一段时间后进行升压并保持该压力状态；

3)继续升温至第二预设温度，减缓升温速率升温至第三预设温度后，调整升温速率继续升温至第四预设温度；

4)调整升温速率继续升温至第五预设温度，进行降压处理，通入氢气与保护气体并保持生长室内的状态，进行碳化硅在籽晶片上沉积生长；

5)按照停炉程序进行降温、停炉并取出晶体。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，步骤1)中，碳源与硅源的质量比为1:1.1-1.3。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，步骤1)中，抽真空达到本底真空度10^-3Pa，1小时内的漏率不能超过1Pa。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，步骤2)中，第一预设温度为1000℃-1200℃，持续抽真空的时间为3h-6h；保持的压力状态为40K Pa-80K Pa。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，步骤3)中，第二预设温度为1300℃-1400℃，升温速率调整为130-135℃/h；第三预设温度为1800℃，升温速率调整为100℃/h；第四预设温度为2000℃。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，步骤4)中，第五预设温度为2200℃，升温速率调整为200℃/h；降压处理是将生长室内的压力保持在1K Pa以内。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，步骤4)中，保护气体为氩气，氢气与氩气的比例为1:15-2:15。

8.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，步骤4)中，保持生长室内的状态50h-70h。

9.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述碳源包括碳粉或碳颗粒，所述硅源包括颗粒状硅料或粉末状硅料。

10.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法所用的生长室包括坩埚本体，所述坩埚本体内部设有过滤网与通气管，所述通气管的出口高于所述过滤网的上端面。