[发明专利]防止阻焊助焊膏测试剥离方法在审

专利信息
申请号: 202110475741.5 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113411985A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 彭浪祥;肖彩;何锦添 申请(专利权)人: 广州美维电子有限公司
主分类号: H05K3/28 分类号: H05K3/28;H05K3/38;H05K3/34
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 王忠浩
地址: 510663 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 防止 阻焊助焊膏 测试 剥离 方法
【权利要求书】:

1.一种防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于,包括以下步骤:

前期处理步骤:将PCB工件进行前期工序处理,生成待处理工件;

超粗化处理步骤:使用超粗化液处理待处理工件,生成粗化工件;

阻焊印刷步骤:进行阻焊印刷;

显影步骤:一次预烤后,进行曝光、显影处理,进行后烤;

固化步骤:进行紫外固化处理;

后期处理步骤:涂抹助焊膏后检验固化后的产品是否符合要求,若是,进行后期工序处理。

2.如权利要求1所述的防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于:在所述前期处理步骤中,检验待处理工件是否符合质量要求,若是,执行下一步,若否,进行返工处理。

3.如权利要求1所述的防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于:在所述超粗化处理步骤中,清理粗化工件的表面。

4.如权利要求1所述的防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于:在所述阻焊印刷步骤中,完成阻焊印刷之后,检验工件是否符合阻焊要求,若是,进行下一步;若否,返工处理。

5.如权利要求1所述的防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于:在所述显影步骤中,曝光能量选用10-11级。

6.如权利要求1所述的防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于:在所述显影步骤中,显影时间为60S,显影温度30℃,显影压力1.3bar。

7.如权利要求1所述的防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于:在所述显影步骤中,一次预烤的温度为70-80℃,一次预烤的时间为0.5-1.5h。

8.如权利要求1所述的防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于:在所述显影步骤中,后烤的温度为140-160℃,后烤的时间为0.5-1.5h。

9.如权利要求1所述的防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于:在所述固化步骤中,固化处理使工件的油墨Tg值达到116℃以上。

10.如权利要求9所述的防止阻焊助焊膏测试剥离方法,其特征在于:在所述固化步骤中,检验工件质量是否满足要求,若是,执行下一步,若否,返工处理。

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