[发明专利]一种微型多层陶瓷3dB电桥有效
| 申请号： | 202110476797.2 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097682B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王慷;王伟;董思源;李子琦;唐全 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | H01P5/16 | 分类号： | H01P5/16 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微型 多层 陶瓷 db 电桥 | ||
1.一种微型多层陶瓷3dB电桥，其特征在于，包括多层堆叠压合的介质基板，其中存在上下两层介质基板分别为第一接地层(1)与第二接地层(4)，第一接地层(1)与第二接地层(4)之间存在上下两层介质基板分别作为第一耦合层(2)与第二耦合层(3)，第一耦合层(2)、第二耦合层(3)上分别设有耦合线并构成耦合结构，耦合结构通过金属接线柱连接电桥的输入端、隔离端、输出端一与输出端二；第一接地层(1)与第二接地层(4)通过接地金属柱连接到电桥的接地端；所述输入端、隔离端、输出端一、输出端二及接地端均设在底层的介质基板上；所述第一耦合层(2)与第一接地层(1)之间设有第二导体层(19)，所述第二导体层(19)通过第三接地金属柱连接第一接地层(1)；第二耦合层(3)与第二接地层(4)之间设有第三导体层(20)，第三导体层(20)通过第四接地金属柱(17)连接第二接地层(4)。
2.根据权利要求1所述的一种微型多层陶瓷3dB电桥，其特征在于，第二耦合层(3)与第二接地层(4)之间设有第一导体层(18)，第一导体层(18)设有金属导体，所述耦合线通过第一金属接线柱(7)连接金属导体，金属导体通过第二金属接线柱(9)连接电桥的输入端、隔离端、输出端一与输出端二。
3.根据权利要求2所述的一种微型多层陶瓷3dB电桥，其特征在于，所述第一耦合层(2)与第二耦合层(3)上的耦合线各设有两节，每节均对应连接一个第一金属接线柱(7)，每个第一金属接线柱(7)均对应连接一个金属导体(8)，每个金属导体(8)均对应一个第二金属接线柱(9)，每个第二金属接线柱(9)均对应连接电桥的输入端、隔离端、输出端一与输出端二的其中一个端口。
4.根据权利要求1所述的一种微型多层陶瓷3dB电桥，其特征在于，所述介质基板的介电常数为6.8，每层厚度为95μm。
5.根据权利要求1所述的一种微型多层陶瓷3dB电桥，其特征在于，接地金属柱包括前后布置的第一接地金属柱(5)与第二接地金属柱(6)，第一接地金属柱(5)与第二接地金属柱(6)分别连接电桥的接地端一(11)、接地端二(14)。
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