[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上实质上沿竖直方向延伸的有源区；

绕所述有源区在竖直方向上的中间段的至少部分外周形成的栅堆叠，其中所述有源区包括与所述栅堆叠相对的沟道区以及分别在所述沟道区在竖直方向上的相对两侧的第一源/漏区和第二源/漏区；

第一侧墙和第二侧墙，分别介于所述栅堆叠的导体层与所述第一源/漏区之间以及所述栅堆叠的所述导体层与所述第二源/漏区之间，

其中，所述第一侧墙和所述第二侧墙中至少之一包括：

实质上在横向上延伸的第一部分；以及

实质上在竖直方向上从所述第一部分向着远离所述栅堆叠的方向延伸的第二部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一侧墙的所述第一部分在所述栅堆叠的所述导体层与所述第一源/漏区之间自对准于所述沟道区的一端，或者所述第二侧墙的所述第一部分在所述栅堆叠的所述导体层与所述第二源/漏区之间自对准于所述沟道区的一端。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分与所述第二部分所成的角围绕所述有源区与所述栅堆叠相对的角部。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅堆叠包括栅介质层、功函数调节层以及栅电极材料层，所述导体层是所述栅电极材料层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一侧墙和所述第二侧墙分别从所述功函数调节层的相对端部延伸。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述栅电极材料层靠近所述有源区的端部包括下部的第一表面、上部的第二表面以及面向所述有源区的第三表面，

所述功函数调节层至少覆盖所述第三表面。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述功函数调节层还分别延伸至所述第一表面和所述第二表面上，所述第一侧墙和所述第二侧墙分别在所述第一表面和所述第二表面上与所述功函数调节层相接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述功函数调节层在所述第一表面上的延伸长度与所述功函数调节层在所述第二表面上的延伸长度实质上相等。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一侧墙在所述第一表面上延伸的部分的厚度以及所述第二侧墙在所述第二表面上延伸的部分的厚度与所述功函数调节层的厚度实质上相等。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述第一侧墙在所述第一表面上延伸的部分与所述功函数调节层在所述第一表面上延伸的部分具有实质上共面的上表面和/或下表面；

所述第二侧墙在所述第二表面上延伸的部分与所述功函数调节层在所述第二表面上延伸的部分具有实质上共面的上表面和/或下表面。

11.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅电极材料层包括所述端部以及相对于所述端部远离所述栅堆叠的连接部分，所述连接部分在竖直方向上的厚度大于所述端部在竖直方向上的厚度。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，以下至少之一成立：

所述连接部分的底面低于所述端部的第一表面；

所述连接部分的顶面高于所述端部的第二表面。

13.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述有源区的所述中间段相对于所述有源区的下段和上段在横向上凹入，所述功函数调节层设于所述有源区的所述中间段相对于下段和上段所形成的凹入中，所述栅电极材料层靠近所述竖直有源区的端部嵌入到所述凹入中。