[发明专利]掩模板及掩模板使用方法

权利要求书

1.一种掩模板，其特征在于，包括第一曝光区和第二曝光区，所述第二曝光区位于所述第一曝光区的任意侧；所述第一曝光区设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案，所述第二曝光区设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案，其中，所述第一曝光区与所述第二曝光区在不同时间段工作。

2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一曝光区先于所述第二曝光区使用，所述第一功能膜层与所述第二功能膜层位于不同膜层。

3.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一曝光区先于所述第二曝光区使用，所述第一功能膜层与所述第二功能膜层位于同一膜层的不同区域。

4.如权利要求2或3所述的掩模板，其特征在于，所述第一功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中的一种，所述第二功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中不同于所述第一功能膜层的另一种。

5.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，还包括第三曝光区，所述第一曝光区、所述第二曝光区和所述第三曝光区均在不同时间段使用。

6.如权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述第一曝光区、所述第二曝光区和所述第三曝光区沿同一方向排布。

7.如权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述第一曝光区和所述第二曝光区沿一方向排布，所述第三曝光区位于与所述第一曝光区和所述第二曝光区相邻的一侧。

8.一种掩模板使用方法，其特征在于，使用如权利要求1所述的掩模板，并包括以下步骤：

步骤S100：提供一基底，在所述基底上形成第一膜层，在所述第一膜层上形成第一光阻，使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第一光阻进行曝光处理，然后进行显影和刻蚀工艺形成所述第一功能膜层，此时所述第二曝光区为遮蔽态；

步骤S200：在所述第一功能膜层上形成第二膜层，在所述第二膜层上形成第二光阻，使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第二光阻进行曝光处理，然后进行显影和刻蚀工艺形成所述第二功能膜层，此时所述第一曝光区为遮蔽态。

9.如权利要求8所述的掩模板使用方法，其特征在于，所述基底包括第一区域和第二区域；

所述步骤S100包括：

步骤S110：在所述第一区域和所述第二区域形成第一膜层、以及位于所述第一膜层上的所述第一光阻；

步骤S120：使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第一区域的所述第一光阻进行曝光处理，此时所述第二曝光区为遮蔽态；

步骤S130：使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第二区域的所述第一光阻进行曝光处理，此时所述第二曝光区为遮蔽态；

步骤S140：对所述第一区域和所述第二区域同时进行显影和刻蚀形成所述第一功能膜层。

10.如权利要求9所述的掩模板使用方法，其特征在于，

所述步骤S200包括：

步骤S210：在所述第一区域和所述第二区域的所述第一功能膜层上形成第二膜层、以及位于所述第二膜层上的所述第二光阻；

步骤S220：使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第一区域的所述第二光阻进行曝光处理，此时所述第一曝光区为遮蔽态；

步骤S230：使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第二区域的所述第二光阻进行曝光处理，此时所述第一曝光区为遮蔽态；

步骤S240：对所述第一区域和所述第二区域同时进行显影和刻蚀形成所述第二功能膜层。