[发明专利]掩模板及掩模板使用方法在审
申请号: | 202110478312.3 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113189839A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 莫超德;张博 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李健 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 使用方法 | ||
本申请实施例公开了一种掩模板及掩模板使用方法。掩模板包括第一曝光区和第二曝光区,所述第二曝光区位于所述第一曝光区的任意侧;所述第一曝光区设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案,所述第二曝光区设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案,其中,所述第一曝光区与所述第二曝光区在不同时间段工作。通过在同一掩模板上设计不同功能膜层对应的曝光区,采用同一掩模板即可以完成不同功能膜层的图案化制作,可以解决现有的掩模板利用效率低、掩模板使用数量多、研发和生产成本高的问题。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种掩模板及掩模板使用方法。
背景技术
当前平板显示行业,制作阵列基板(TFT基板)和彩膜基板(CF基板)时通常采用掩模板曝光方式得到特定设计的图案。通常来说每一道制程都需要制作特定掩模板,而且掩模板价格较为昂贵。当阵列基板(TFT基板)和彩膜基板(CF基板)的膜层数量或制程步骤较多时,高昂的掩模板费用无疑会大大增加研发和生产成本。因此,现有的掩模板利用效率低,掩模板使用数量多,研发和生产成本高。
发明内容
本申请实施例提供一种掩模板及掩模板使用方法。掩模板包括第一曝光区和第二曝光区,所述第二曝光区位于所述第一曝光区的任意侧;所述第一曝光区设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案,所述第二曝光区设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案,其中,所述第一曝光区与所述第二曝光区在不同时间段工作。通过在同一掩模板上设计不同功能膜层对应的曝光区,采用同一掩模板即可以完成不同功能膜层的图案化制作,可以解决现有的掩模板利用效率低、掩模板使用数量多、研发和生产成本高的问题。
本申请实施例提供了一种掩模板,包括第一曝光区和第二曝光区,所述第二曝光区位于所述第一曝光区的任意侧;所述第一曝光区设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案,所述第二曝光区设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案,其中,所述第一曝光区与所述第二曝光区在不同时间段工作。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一曝光区先于所述第二曝光区使用,所述第一功能膜层与所述第二功能膜层位于不同膜层。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一曝光区先于所述第二曝光区使用,所述第一功能膜层与所述第二功能膜层位于同一膜层的不同区域。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中的一种,所述第二功能膜层为金属膜层、无机膜层、有机膜层之中不同于所述第一功能膜层的另一种。
可选的,在本申请的一些实施例中,还包括第三曝光区,所述第一曝光区、所述第二曝光区和所述第三曝光区均在不同时间段使用。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一曝光区、所述第二曝光区和所述第三曝光区沿同一方向排布。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一曝光区和所述第二曝光区沿一方向排布,所述第三曝光区位于与所述第一曝光区和所述第二曝光区相邻的一侧。
相应的,本申请实施例还提供了一种掩模板使用方法,使用上述任一项所述的掩模板,并包括以下步骤:
步骤S100:提供一基底,在所述基底上形成第一膜层,在所述第一膜层上形成第一光阻,使用所述第一曝光区的所述第一预设图案对所述第一光阻进行曝光处理,然后进行显影和刻蚀工艺形成所述第一功能膜层,此时所述第二曝光区为遮蔽态;
步骤S200:在所述第一功能膜层上形成第二膜层,在所述第二膜层上形成第二光阻,使用所述第二曝光区的所述第二预设图案对所述第二光阻进行曝光处理,然后进行显影和刻蚀工艺形成所述第二功能膜层,此时所述第一曝光区为遮蔽态。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述基底包括第一区域和第二区域;所述步骤S100包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110478312.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备